特許
J-GLOBAL ID：201403049369272211
アディアバティック結合を実現させる、シングルモード・ポリマー導波路(PWG)アレイと、シリコン導波路(SiWG)アレイとの整列。
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
上野 剛史
, 太佐 種一
, 市位 嘉宏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-231090
公開番号（公開出願番号）：特開2014-081586
出願日： 2012年10月18日
公開日（公表日）： 2014年05月08日
要約：
【課題】 ポリマー上に形成された(シングルモード)ポリマー導波路(PWG)アレイと、シリコン(Si)チップ上に形成されたシリコン導波路(SiWG)アレイとを整列させることによって、アディアバティック結合を形成すること。 【解決手段】 それぞれの側において精度良く形成されている凸部と、凹部とに従って、これらが絶対基準位置となって自己整列が実現される。フォトリソグラフィによるPWGパターンニングでは、複数のマスクを用いるが、同じ(マスク用)アライメント基準線に沿って、δx誤差において高精度な形成ができる。ナノインプリントによるPWGパターンニングでは、δy誤差においても高精度な形成ができる。【選択図】 図4
請求項（抜粋）：
ポリマー上に形成された(シングルモード)ポリマー導波路(PWG)アレイと、シリコン(Si)チップ上に形成されたシリコン導波路(SiWG)アレイとを整列させることによって、アディアバティック結合を形成することができる、ポリマー上に形成された凸部と、シリコンチップ上に形成された凹部との組合せであって、
ポリマー上に形成された凸部は、PWGアレイが形成されている方向に沿って形成されたものであって、かつ、PWGアレイの形成のフォトリソグラフィ処理において利用された第1のマスクのアラインメント基準線とそれを同じくする第2のマスク(露光パターンは第1のマスクとは異なる)を用いて形成されたものであり、
シリコンチップ上に形成された凹部は、SiWGアレイが形成されている方向に沿って形成されたものである、
ポリマー上に形成された凸部と、シリコンチップ上に形成された凹部との組合せ。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (17件)：
2H147EA13A
, 2H147EA13B
, 2H147EA13C
, 2H147EA17A
, 2H147EA17B
, 2H147EA17C
, 2H147EA19A
, 2H147EA19B
, 2H147EA19C
, 2H147EA20A
, 2H147EA20B
, 2H147EA20C
, 2H147FA17
, 2H147FC01
, 2H147FD02
, 2H147FD03
, 2H147FE02
