半導体装置

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-265597
公開番号（公開出願番号）：特開2014-143409
出願日： 2013年12月24日
公開日（公表日）： 2014年08月07日
要約：

【課題】酸化物半導体を用いた信頼性の高い半導体装置を提供する。【解決手段】、酸化物半導体層と、酸化物半導体層に接する絶縁層と、酸化物半導体層と重なるゲート電極層と、酸化物半導体層と電気的に接続するソース電極層及びドレイン電極層と、を有し、酸化物半導体層は、10nm以下のサイズの結晶を有する第1の領域と、第1の領域を挟んで絶縁層と重なり、c軸が酸化物半導体層の表面の法線ベクトルと平行な方向に揃った結晶部を有する第2の領域と、を含む半導体装置を提供する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

酸化物半導体層と、前記酸化物半導体層に接する絶縁層と、前記酸化物半導体層と重なるゲート電極層と、前記酸化物半導体層と電気的に接続するソース電極層及びドレイン電極層と、を有し、前記酸化物半導体層は、10nm以下のサイズの結晶を有する第1の領域と、前記第1の領域を挟んで前記絶縁層と重なり、c軸が前記酸化物半導体層の表面の法線ベクトルと平行な方向に揃った結晶部を有する第2の領域と、を含む半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 29/786 , H01L 21/336 , H01L 27/06 , H01L 21/823 , H01L 51/50

FI (4件)：

H01L29/78 618Z , H01L29/78 618B , H01L27/06 102A , H05B33/14 A

Fターム (95件)：

3K107AA01 , 3K107BB01 , 3K107CC14 , 3K107CC21 , 3K107EE04 , 3K107FF15 , 5F048AA07 , 5F048AB01 , 5F048AB03 , 5F048AC01 , 5F048AC03 , 5F048AC10 , 5F048BA01 , 5F048BA14 , 5F048BA15 , 5F048BA16 , 5F048BA19 , 5F048BA20 , 5F048BB01 , 5F048BB09 , 5F048BB11 , 5F048BB12 , 5F048BB13 , 5F048BF02 , 5F048BF07 , 5F048CB01 , 5F110AA08 , 5F110BB01 , 5F110BB05 , 5F110CC01 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD04 , 5F110DD05 , 5F110DD13 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE06 , 5F110EE07 , 5F110EE11 , 5F110EE14 , 5F110EE15 , 5F110EE42 , 5F110EE44 , 5F110EE45 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF04 , 5F110FF09 , 5F110FF27 , 5F110FF28 , 5F110FF29 , 5F110GG01 , 5F110GG06 , 5F110GG16 , 5F110GG19 , 5F110GG22 , 5F110GG28 , 5F110GG33 , 5F110GG34 , 5F110GG43 , 5F110HJ30 , 5F110HK01 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK06 , 5F110HK07 , 5F110HK17 , 5F110HK21 , 5F110HK22 , 5F110HK32 , 5F110HK33 , 5F110HK34 , 5F110HM07 , 5F110NN02 , 5F110NN03 , 5F110NN12 , 5F110NN22 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN28 , 5F110NN35 , 5F110NN71 , 5F110NN72 , 5F110PP10 , 5F110PP13 , 5F110PP35 , 5F110QQ01 , 5F110QQ06

引用特許：

審査官引用 (2件)

半導体装置及びその作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2010-042177 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
半導体装置およびその作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2010-148185 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所

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