特許

J-GLOBAL ID：201403049697546612

端面発光型半導体レーザ

発明者： リンドベルグ ハンス
出願人/特許権者： オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング
代理人 (1件)： 鷲田 公一
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-514093
公開番号（公開出願番号）：特表2014-516211
出願日： 2012年06月08日
公開日（公表日）： 2014年07月07日
要約：

本発明は、端面発光型半導体レーザであって、レーザ放射(11)を生成する活性層(3)が埋め込まれている第1の導波路層(1)と、活性層が埋め込まれていない第2の導波路層(2)とを備えている、端面発光型半導体レーザ、に関する。活性層(3)において生成されるレーザ放射(11)は定在波(12)を形成し、この定在波(12)は、半導体レーザのビーム方向における周期的な間隔において、第1の導波路層(1)における極大強度および第2の導波路層(2)における対応する極小強度と、第1の導波路層(1)における極小強度および第2の導波路層(2)における対応する極大強度を有する。端面発光型半導体レーザの表面には、少なくとも部分的に周期的であるコンタクト構造(8)が配置されており、コンタクト構造(8)の周期長は定在波(12)の周期長に等しく、したがって、半導体レーザは、コンタクト構造(8)の周期長によって設定される発光波長λを有する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

端面発光型半導体レーザであって、 - レーザ放射(11)を生成する活性層(3)が埋め込まれている第1の導波路層(1)と、 - 活性層が埋め込まれていない第2の導波路層(2)と、 を備えており、 - 前記第1の導波路層(1)が第1のクラッド層(4)と第2のクラッド層(5)との間に配置されており、前記第2の導波路層(2)が前記第2のクラッド層(5)と第3のクラッド層(6)との間に配置されており、 - 前記活性層(3)において生成される前記レーザ放射(11)が、前記半導体レーザの側端面(9a,9b)によって形成されるレーザ共振器内で定在波(12)を形成し、前記定在波が、前記半導体レーザのビーム方向における周期的な間隔において、前記第1の導波路層(1)における極大強度および前記第2の導波路層(2)における対応する極小強度と、前記第1の導波路層(1)における極小強度および前記第2の導波路層(2)における対応する極大強度とを有し、 - 前記端面発光型半導体レーザの表面に、少なくとも部分的に周期的なコンタクト構造(8)が配置されており、 - 前記半導体レーザが、前記コンタクト構造(8)の周期長によって設定される発光波長λを有するように、前記コンタクト構造(8)の周期長が前記定在波(12)の周期長に等しくされている、 端面発光型半導体レーザ。

IPC (2件)：

H01S 5/062 ,  H01S 5/026

FI (2件)：

H01S5/0625 ,  H01S5/026 618

Fターム (10件)：

5F173AA01 ,  5F173AB19 ,  5F173AC54 ,  5F173AC61 ,  5F173AD03 ,  5F173AD05 ,  5F173AD06 ,  5F173AD15 ,  5F173AR07 ,  5F173AR14

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 特開平2-310986
  
• 特開昭63-148692
  
• 導波体を備えるエッジ発光型半導体レーザ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-250993   出願人：オスラムオプトセミコンダクターズゲゼルシャフトミットベシュレンクテルハフツング

審査官引用 (3件)

• 特開平2-310986
  
• 導波体を備えるエッジ発光型半導体レーザ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-250993   出願人：オスラムオプトセミコンダクターズゲゼルシャフトミットベシュレンクテルハフツング
• 特開昭63-148692