特許
J-GLOBAL ID：201403050036364605
基板処理方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体及び基板処理システム
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
金本 哲男
, 亀谷 美明
, 萩原 康司
, 扇田 尚紀
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-168692
公開番号（公開出願番号）：特開2014-027228
出願日： 2012年07月30日
公開日（公表日）： 2014年02月06日
要約：
【課題】親水性ポリマーと疎水性ポリマーとを含むブロック共重合体を用いた基板処理のスループットを向上させる。【解決手段】ポリスチレン膜が形成されたウェハを加熱処理し、当該加熱処理中にポリスチレン膜に紫外線を照射する(工程S3)。その後、ウェハにレジスト膜によりレジストパターンを形成する(工程S4、S5)。その後、ポリスチレン膜をエッチング処理する(工程S6)。その後、ウェハに中性層を形成する。(工程S7)。その後、ウェハにブロック共重合体を塗布し、親水性ポリマーと疎水性ポリマーに相分離させる(工程S8、S9)。その後、相分離したブロック共重合体から、親水性ポリマーを選択的に除去する(工程S10)。【選択図】図6
請求項（抜粋）：
第1のポリマーと第2のポリマーとを含むブロック共重合体を用いて、基板を処理する方法であって、
基板に第1のポリマー膜を形成する第1のポリマー膜形成工程と、
前記第1のポリマー膜を加熱処理し、且つ当該加熱処理中に前記第1のポリマー膜にエネルギー線を照射して前記第1のポリマー膜を架橋させる架橋工程と、
前記第1のポリマー膜上にレジストパターンを形成するレジストパターン形成工程と、
前記レジストパターンをマスクとして前記架橋後の第1のポリマー膜をエッチング処理して第1のポリマー膜のパターンを形成する第1のポリマー膜パターン形成工程と、
前記第1のポリマー膜パターン形成工程後にレジストパターンが除去された基板に対して、中性層を基板上に形成する中性層形成工程と、
前記中性層が形成された基板上に前記ブロック共重合体を塗布するブロック共重合体塗布工程と、
前記基板に塗布されたブロック共重合体を前記第1のポリマーと前記第2のポリマーに相分離させるポリマー分離工程と、
前記相分離したブロック共重合体から、前記第1のポリマー又は前記第2のポリマーのいずれかを選択的に除去するポリマー除去工程と、を有することを特徴とする、基板処理方法。
IPC (4件)：
H01L 21/027
, B82Y 40/00
, G03F 7/26
, G03F 7/40
H01L21/30 502D
, B82Y40/00
, G03F7/26 511
, G03F7/40 521
, G03F7/40 511
, H01L21/30 563
2H096AA25
, 2H096CA05
, 2H096HA05
, 2H096JA04
, 2H096KA19
, 5F146AA28
