特許

J-GLOBAL ID：201403050162635096

半導体装置の製造方法

発明者： 本郷 悟史 ,  谷田 一真
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 酒井 宏明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-186968
公開番号（公開出願番号）：特開2014-045095
出願日： 2012年08月27日
公開日（公表日）： 2014年03月13日
要約：

【課題】第1の基板と第2の基板とが接合されて製造される半導体装置の歩留まりを向上させることができる半導体装置の製造方法を提供すること。【解決手段】本発明の一つの実施形態によれば、半導体装置の製造方法が提供される。半導体装置の製造方法は、第1工程と、第2工程と、第3工程とを含む。第1工程は、第1の基板および第2の基板の表面のうち、少なくともいずれか一方の基板の表面を研磨する。第2工程は、第1工程によって研磨された基板の表面を粗化する。第3工程は、第2工程によって粗化された基板の表面へ他方の基板の表面を接合する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

第1の基板および第2の基板の表面のうち、少なくともいずれか一方の基板の表面を研磨する第1工程と、 前記第1工程によって研磨された前記基板の表面を粗化する第2工程と、 前記第2工程によって粗化された前記基板の表面へ他方の基板の表面を接合する第3工程と を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/02 ,  H01L 21/304 ,  H01L 27/14

FI (4件)：

H01L21/02 B ,  H01L21/304 622W ,  H01L21/304 621D ,  H01L27/14 D

Fターム (14件)：

4M118AA10 ,  4M118AB01 ,  4M118BA14 ,  4M118CA02 ,  4M118EA01 ,  4M118FA06 ,  4M118GA02 ,  4M118GC07 ,  4M118GD04 ,  5F057AA03 ,  5F057AA12 ,  5F057BA18 ,  5F057DA03 ,  5F057DA29