磁気メモリ装置

発明者： , , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：渡邊隆 , 実広信哉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-142385
公開番号（公開出願番号）：特開2014-022030
出願日： 2013年07月08日
公開日（公表日）： 2014年02月03日
要約：

【課題】磁気メモリ装置、これを装着したメモリモジュール及びメモリシステムを提供する。【解決手段】磁化方向によって少なくとも二つの状態の間を可変する磁気メモリセルを含み、多様なインターフェース機能を提供するインターフェース部を備える磁気メモリ装置(MRAM)である。モジュールボードと、モジュールボード上に装着される少なくとも一つ以上のMRAMチップとを備え、モジュールボード上に装着され、MRAMチップの動作を管理するバッファチップをさらに備えるメモリモジュールである。MRAMと通信するメモリコントローラを備え、MRAMとメモリコントローラとの間に連結される光連結装置を通じて、電光変換信号または光電変換信号を通信するメモリシステムである。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

磁化方向によって少なくとも二つの状態の間を可変する磁気メモリセルを含むMRAM(Magenetic Random Access Memory)において、前記磁気メモリセルから/に読み取りまたは書き込みが行われるデータを、クロック信号の立ち上がり及び立ち下がりエッジに合わせて、データ入出力信号(DQ信号)として入出力するインターフェース部を備え、前記インターフェース部は、前記DQ信号と共に生成されたデータストローブ信号に応答して、前記DQ信号をラッチし、前記ラッチされたDQ信号のウィンドウセンターに、前記クロック信号のエッジが発生することを特徴とするMRAM。

IPC (5件)：

G11C 11/15 , H01L 21/824 , H01L 27/105 , H01L 43/08 , H01L 29/82

FI (4件)：

G11C11/15 165 , H01L27/10 447 , H01L43/08 Z , H01L29/82 Z

Fターム (38件)：

4M119BB01 , 4M119CC05 , 4M119DD06 , 4M119DD09 , 4M119DD10 , 4M119DD17 , 4M119DD33 , 4M119DD45 , 4M119EE22 , 4M119EE27 , 4M119HH01 , 4M119HH04 , 4M119HH20 , 4M119KK16 , 5F092AB08 , 5F092AC12 , 5F092AD03 , 5F092AD23 , 5F092AD25 , 5F092BB16 , 5F092BB17 , 5F092BB18 , 5F092BB22 , 5F092BB23 , 5F092BB25 , 5F092BB34 , 5F092BB35 , 5F092BB36 , 5F092BB42 , 5F092BB43 , 5F092BB45 , 5F092BC04 , 5F092BC07 , 5F092BC12 , 5F092BC13 , 5F092BC46 , 5F092DA03 , 5F092FA04

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