特許

J-GLOBAL ID：201403051527466716

リソグラフィー用レジスト上層膜形成組成物及びそれを用いた半導体装置の製造方法

発明者： 藤谷 徳昌 ,  石田 智久 ,  大西 竜慈 ,  坂本 力丸
出願人/特許権者： 日産化学工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-046789
公開番号（公開出願番号）：特開2014-174329
出願日： 2013年03月08日
公開日（公表日）： 2014年09月22日
要約：

【課題】 レジストとインターミキシングすることなく、特にEUV露光に際して好ましくない露光光、例えばUVやDUVを遮断してEUVのみを選択的に透過し、また露光後に現像液で現像可能な、半導体装置の製造工程におけるリソグラフィープロセスに用いるレジスト上層膜形成組成物を提供する。また本願組成物は電子線露光用としても好ましく使用できる。【解決手段】 (式1)で表される単位構造を有するポリマーをスルホン化して得られる水溶性ポリマーと、水とを含むEUV又は電子線レジスト上層膜形成組成物を提供する。【化1】((式1)中、Ar1は炭素原子数6乃至92の芳香族炭化水素を含む2価の有機基を表し、Ar2はAr1と結合している第3級炭素原子又は第4級炭素原子を含み且つ炭素原子数6乃至92の芳香族炭化水素を含む2価の有機基である。)【選択図】 なし

請求項（抜粋）：

(式1):

IPC (6件)：

G03F 7/11 ,  G03F 7/38 ,  G03F 7/40 ,  C08G 8/28 ,  C08G 12/40 ,  H01L 21/027

FI (6件)：

G03F7/11 501 ,  G03F7/38 501 ,  G03F7/40 521 ,  C08G8/28 B ,  C08G12/40 ,  H01L21/30 575

Fターム (42件)：

2H096AA25 ,  2H096DA04 ,  2H096EA03 ,  2H096EA05 ,  2H096EA23 ,  2H096FA01 ,  2H096GA08 ,  2H125AM58N ,  2H125AM80N ,  2H125AM91N ,  2H125AP01N ,  2H125CA12 ,  2H125CB08 ,  2H125DA02 ,  2H196AA25 ,  2H196DA04 ,  2H196EA03 ,  2H196EA05 ,  2H196EA23 ,  2H196FA01 ,  2H196GA08 ,  4J033CA05 ,  4J033CA09 ,  4J033CA18 ,  4J033CA24 ,  4J033CA28 ,  4J033CA44 ,  4J033CC08 ,  4J033EA05 ,  4J033EA07 ,  4J033EA18 ,  4J033EA33 ,  4J033EA51 ,  4J033EA74 ,  4J033EC05 ,  4J033EC08 ,  4J033GA03 ,  4J033HA02 ,  4J033HA08 ,  4J033HA28 ,  4J033HB10 ,  5F146PA19