半導体薄膜結晶の製造方法および装置

発明者： , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：小林邦雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-115630
公開番号（公開出願番号）：特開2014-144875
出願日： 2011年05月24日
公開日（公表日）： 2014年08月14日
要約：

【課題】従来技術によれば、300°C程度の低温でSiGeやGeの薄膜を堆積できるが、これらの膜はアモルファスであるため、少数キャリア寿命が短く、かつキャリアの移動度が低く、必ずしも高効率の太陽電池や高速の集積回路などの応用には適さないという問題があった。また、他の従来例においては、原料ガスとしてGeF4を用いているため、成膜するSiGeの構成要素であるゲルマニウム原料とSi2H6の酸化剤であるフッ素の比率が固定されてしまい、SiGe膜の組成を広範囲に、特に長波長の太陽電池等に有用なGeを多く含む組成で自由に変えることが容易ではなく、また成膜速度にも限界があった。【解決手段】供給ガスとしてモノシラン(SiH4)、モノゲルマン(GeH4)およびフッ素(F2)を用いて、基板上にSiGe又はGeの単結晶又は多結晶を成膜することを特徴とする。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板上にガスを供給して半導体薄膜を形成する半導体薄膜結晶の製造方法であって、供給ガスとしてモノシラン、モノゲルマン及びフッ素並びにそれらを希釈する不活性ガスを用い、該モノシランに対する該モノゲルマンの流量比を0.005以上1以下とし、基板温度を摂氏350以上650度以下とし、圧力を0.1Torr以上10Torr以下とし、基板上にシリコンゲルマニウム又はゲルマニウムの単結晶又は多結晶の薄膜を形成することを特徴とする半導体薄膜結晶の製造方法。

IPC (6件)：

C30B 29/52 , H01L 21/205 , C23C 16/42 , C30B 29/08 , C30B 25/02 , H01L 31/04

FI (6件)：

C30B29/52 , H01L21/205 , C23C16/42 , C30B29/08 , C30B25/02 Z , H01L31/04 X

Fターム (78件)：

4G077AA03 , 4G077BA05 , 4G077BE05 , 4G077DB04 , 4G077DB11 , 4G077EA02 , 4G077EA05 , 4G077EA06 , 4G077EC09 , 4G077ED06 , 4G077EE05 , 4G077EE06 , 4G077EG22 , 4G077HA01 , 4G077HA05 , 4G077HA06 , 4G077HA12 , 4G077TA04 , 4G077TA07 , 4G077TA11 , 4G077TB02 , 4G077TC01 , 4G077TC03 , 4G077TC05 , 4G077TC06 , 4G077TC08 , 4G077TH06 , 4G077TK01 , 4G077TK08 , 4K030AA01 , 4K030AA05 , 4K030AA06 , 4K030AA16 , 4K030BA09 , 4K030BA29 , 4K030BA48 , 4K030BB02 , 4K030BB03 , 4K030CA02 , 4K030CA04 , 4K030CA06 , 4K030EA01 , 4K030FA10 , 4K030JA06 , 4K030JA09 , 4K030JA10 , 4K030LA15 , 4K030LA16 , 5F045AA06 , 5F045AB01 , 5F045AB05 , 5F045AC01 , 5F045AC16 , 5F045AC19 , 5F045AD08 , 5F045AD09 , 5F045AE19 , 5F045AF02 , 5F045AF03 , 5F045AF07 , 5F045BB08 , 5F045BB09 , 5F045CA13 , 5F045DP03 , 5F045DQ10 , 5F045EB08 , 5F045EB14 , 5F045EE12 , 5F045EF02 , 5F045EF14 , 5F045EK07 , 5F045GB01 , 5F151AA02 , 5F151AA03 , 5F151CB12 , 5F151CB29 , 5F151GA03 , 5F151GA04

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