特許

J-GLOBAL ID：201403052227844766

テクスチャー構造を有するシリコン基板及びその製造方法

発明者： 白濱 利基 ,  沢井 毅 ,  西尾 大助 ,  藤原 靖
出願人/特許権者： 株式会社新菱
代理人 (2件)： 加藤 久 ,  久保山 隆
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-036097
公開番号（公開出願番号）：特開2014-165385
出願日： 2013年02月26日
公開日（公表日）： 2014年09月08日
要約：

【課題】太陽光の効率的な吸収に適し、該シリコン基板を使用した太陽電池の高効率化を実現することができるテクスチャー構造を有するシリコン基板を提供する。【解決手段】微細なピラミッド状の凹凸構造(テクスチャー構造)が全面に形成された表面構造を有するシリコン基板であって、 前記テクスチャー構造を構成するピラミッドの平均底辺長が、0.5μm以上2.0μm未満の範囲であり、かつ、波長600nm以上1000nm以下の何れの範囲においても光に対する基板表面の光反射率が12.0%以下であることを特徴とするテクスチャー構造を有するシリコン基板。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

微細なピラミッド状の凹凸構造(テクスチャー構造)が全面に形成された表面構造を有するシリコン基板であって、 前記テクスチャー構造を構成するピラミッドの平均底辺長が、0.5μm以上2.0μm未満の範囲であり、かつ、波長600nm以上1000nm以下の何れの範囲においても光に対する基板表面の光反射率が12.0%以下であることを特徴とするテクスチャー構造を有するシリコン基板。

IPC (2件)：

H01L 21/306 ,  H01L 31/04

FI (2件)：

H01L21/306 B ,  H01L31/04 H

Fターム (6件)：

5F043AA02 ,  5F043BB02 ,  5F043FF04 ,  5F151CB21 ,  5F151GA04 ,  5F151GA15