特許
J-GLOBAL ID：201403052263187941

電子部品装置およびその製造方法

発明者：
堀口 広貴

堀口 広貴 について

, 
木村 裕二

木村 裕二 について


出願人/特許権者：
株式会社村田製作所

株式会社村田製作所 について


代理人 (1件)： 小柴 雅昭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-228853
公開番号（公開出願番号）：特開2014-078718
出願日： 2013年11月02日
公開日（公表日）： 2014年05月01日
要約：
【課題】短時間で信頼性の高い気密封止構造が得られるようにする。【解決手段】主基板12に形成される第1の封止枠16および蓋基板13に形成される第2の封止枠19を、ともにNi膜から構成する。たとえば、第1の封止枠16上にBi層26を形成し、第2の封止枠19上にAu層27を形成しておき、第1の封止枠16と第2の封止枠19とを互いに近接させる方向に加圧しながら、たとえば300°Cの温度で10秒間加熱することによって、第1の封止枠16と第2の封止枠19とを互いに接合する接合部24を形成する。接合部24は、Ni-Bi-Au3元系合金とAu2Biとが混在した合金を主成分とする混在層28をもって構成されたり、Ni-Bi-Au3元系合金を主成分とする3元系合金層をもって構成されたりする。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
電子回路形成部分および前記電子回路形成部分を取り囲む第1の封止枠がその一方主面上に形成された主基板と、 前記第1の封止枠に接合されるべき第2の封止枠がその一方主面上に形成された蓋基板と、 前記第1の封止枠と前記第2の封止枠とを互いに接合する接合部と を備え、 前記第1および第2の封止枠は、ともに、Niを主成分とするNi膜によって与えられ、 前記接合部は、Ni-Bi-Au3元系合金を主成分とする3元系合金層、または、Ni-Bi-Au3元系合金およびAu2Biが混在した合金を主成分とする混在層をもって構成されていて、Ni-Bi-Au3元系合金の組成比は、Niが8〜14重量%、Biが70〜76重量%、Auが13〜19重量%であり、Ni、BiおよびAuのそれぞれの値を合計すると100重量%である、 電子部品装置。
IPC (5件)：
H01L 23/02 ,  B23K 35/26 ,  B23K 35/30 ,  C22C 5/02 ,  C22C 12/00
FI (5件)：
H01L23/02 C ,  B23K35/26 310C ,  B23K35/30 310A ,  C22C5/02 ,  C22C12/00
引用特許：
出願人引用 (4件)
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