特許

J-GLOBAL ID：201403052776128797

光電変換装置およびその製造方法

発明者： 菊田 光洋
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (2件)： 佐野 静夫 ,  井上 温
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-183284
公開番号（公開出願番号）：特開2014-041912
出願日： 2012年08月22日
公開日（公表日）： 2014年03月06日
要約：

【課題】リフトオフ法を用いて光学フィルタを形成する際に、光学フィルタの膜厚が不均一となる領域の幅を狭くして、装置の構成の複雑化や大型化を招くことなく、上記領域を透過する不要な光によるノイズを低減する。【解決手段】同一の半導体基板1に複数の光電変換素子2a・2bを並べて形成し、一部の光電変換素子2b上に、平坦化保護層5を介して、任意の波長領域の光を透過する干渉フィルタ6bをリフトオフ法によって形成する。特に、複数の光電変換素子2a・2bを覆うように半導体基板1上に平坦化保護層5を形成した後、一部の光電変換素子2bの形成領域の外側に位置する平坦化保護層5を除去することにより、平坦化保護層5の厚さに相当する段差Tを表面に形成し、段差Tを乗り越えるように干渉フィルタ6bを形成する。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

同一の半導体基板に複数の光電変換素子を並べて形成する工程と、 一部の光電変換素子上に、平坦化保護層を介して、任意の波長領域の光を透過する光学フィルタをリフトオフ法によって形成する工程とを有する光電変換装置の製造方法であって、 前記複数の光電変換素子を覆うように前記半導体基板上に前記平坦化保護層を形成した後、前記一部の光電変換素子の形成領域の外側に位置する平坦化保護層を除去することにより、前記平坦化保護層の厚さに相当する段差を表面に形成する工程をさらに有しており、 前記光学フィルタの形成工程では、前記段差を乗り越えるように前記光学フィルタを形成することを特徴とする光電変換装置の製造方法。

IPC (1件)：

H01L 27/14

FI (1件)：

H01L27/14 D

Fターム (7件)：

4M118AB01 ,  4M118BA10 ,  4M118BA14 ,  4M118CA32 ,  4M118GC07 ,  4M118GC11 ,  4M118GC17