特許

J-GLOBAL ID：201403053508152444

太陽電池素子の製造方法および太陽電池素子

発明者： 宍田 佳謙
出願人/特許権者： パナソニック株式会社
代理人 (1件)： 鷲田 公一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-110037
公開番号（公開出願番号）：特開2014-229826
出願日： 2013年05月24日
公開日（公表日）： 2014年12月08日
要約：

【課題】N型単結晶シリコン基板にボロンがドーピングされているセレクティブエミッタが形成されている太陽電池素子において、発電効率を向上した太陽電池素子を提供すること。【解決手段】N型単結晶シリコン基板にボロンをドーピングすることでセレクティブエミッタを形成している太陽電池素子において、高濃度ドーピング層を得たい部分にのみ拡散剤を配置して熱拡散し、アルカリ溶液でエッチングすることで、所望のボロンドーパント濃度分布及び形状を持つセレクティブエミッタの形成を実現するものである。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

N型ドーピング半導体で構成される基板と、前記基板の主面に形成された低濃度P型ドーピング層と、前記基板の主面に前記低濃度P型ドーピング層に隣接して配置され、前記低濃度P型ドーピング層よりもドーパント濃度の高い高濃度P型ドーピング層と、前記高濃度P型ドーピング層上に形成された電極と、を備える太陽電池素子の製造方法であって、 前記基板の主面の一部の領域に、ボロンを含む拡散剤を成膜する工程と、 熱処理により前記ボロンを前記主面に拡散させて、前記一部の領域に前記高濃度P型ドーピング層を形成し、前記高濃度P型ドーピング層に隣接する領域に前記低濃度P型ドーピング層を形成する工程と、 アルカリ溶液で前記高濃度P型ドーピング層及び低濃度P型ドーピング層をエッチングする工程と、 前記高濃度P型ドーピング層上に電極を形成する工程と、 を含むことを特徴とする太陽電池素子の製造方法。

IPC (1件)：

H01L 31/06

FI (1件)：

H01L31/04 A

Fターム (5件)：

5F151AA02 ,  5F151CB20 ,  5F151DA04 ,  5F151GA04 ,  5F151HA01