薄膜トランジスタ、および薄膜トランジスタ表示板

発明者： , , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：アイ・ピー・ディー国際特許業務法人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-273440
公開番号（公開出願番号）：特開2014-131047
出願日： 2013年12月27日
公開日（公表日）： 2014年07月10日
要約：

【課題】酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタの性能低下を防止する。【解決手段】酸化物半導体を含むチャネル領域と、前記チャネル領域と接続され、前記チャネル領域に対して両側に対向して配置されたソース電極及びドレイン電極と、前記チャネル領域の上に配置された絶縁層と、前記絶縁層上に配置されたゲート電極と、前記ソース電極及び前記ドレイン電極上に配置された保護膜とを含み、前記ドレイン電極は、第1ドレイン領域と、前記第1ドレイン領域を含まない第2ドレイン領域とを有し、前記保護膜は、前記ドレイン電極の前記第1ドレイン領域を露出させる第1コンタクトホールを有し、前記第1ドレイン領域の電荷移動度は、前記第2ドレイン領域の電荷移動度と同等以上である、薄膜トランジスタ。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

酸化物半導体を含むチャネル領域と、前記チャネル領域と接続され、前記チャネル領域を中央にして両側に対向して配置されたソース電極及びドレイン電極と、前記チャネル領域の上に配置された絶縁層と、前記絶縁層上に配置されたゲート電極と、前記ソース電極及び前記ドレイン電極上に配置された保護膜とを含み、前記ドレイン電極は、第1ドレイン領域と、前記第1ドレイン領域を含まない第2ドレイン領域とを有し、前記保護膜は、前記ドレイン電極の前記第1ドレイン領域を露出させる第1コンタクトホールを有し、前記第1ドレイン領域の電荷移動度は、前記第2ドレイン領域の電荷移動度と同等以上である、薄膜トランジスタ。

IPC (5件)：

H01L 29/786 , H01L 21/28 , H01L 29/417 , H01L 51/50 , H05B 33/14

FI (8件)：

H01L29/78 616S , H01L29/78 618B , H01L29/78 616V , H01L21/28 301B , H01L21/28 A , H01L29/50 M , H05B33/14 A , H05B33/14 Z

Fターム (59件)：

3K107AA01 , 3K107AA05 , 3K107BB01 , 3K107CC11 , 3K107EE04 , 4M104AA03 , 4M104AA09 , 4M104BB02 , 4M104BB04 , 4M104BB08 , 4M104BB13 , 4M104BB14 , 4M104BB16 , 4M104BB17 , 4M104DD16 , 4M104DD17 , 4M104DD20 , 4M104DD22 , 4M104GG08 , 4M104GG14 , 4M104HH20 , 5F110AA02 , 5F110AA03 , 5F110AA05 , 5F110BB01 , 5F110CC01 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD12 , 5F110DD13 , 5F110DD17 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE06 , 5F110EE14 , 5F110EE48 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF09 , 5F110GG01 , 5F110GG19 , 5F110GG42 , 5F110HJ30 , 5F110HK17 , 5F110HK50 , 5F110HL22 , 5F110HL27 , 5F110HL30 , 5F110NN02 , 5F110NN03 , 5F110NN27 , 5F110NN41 , 5F110NN72 , 5F110QQ01 , 5F110QQ02 , 5F110QQ09 , 5F110QQ11

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