フラットダム及びこれを用いたチップパッケージング方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：渡邉一平 , 木川幸治 , 佐藤博幸 , 小池成
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-086160
公開番号（公開出願番号）：特開2014-036224
出願日： 2013年04月16日
公開日（公表日）： 2014年02月24日
要約：

【課題】アンダーフィルのオーバーフロー(over flow)を容易に防止できるとともに、チップパッケージにおける反り抵抗性(warpage resistance)を向上できるフラットダム及びこれを用いたチップパッケージング方法を提供する。【解決手段】本発明のフラットダム140は、基板100上に設けられた絶縁層のパッケージ領域に形成されてアンダーフィル210の移動を制限するものである。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板上に設けられた絶縁層のパッケージ領域に形成されてアンダーフィルの移動を制限することを特徴とするフラットダム。

IPC (5件)：

H05K 3/28 , H01L 23/12 , H01L 21/60 , H01L 23/29 , H01L 23/31

FI (5件)：

H05K3/28 B , H05K3/28 C , H01L23/12 F , H01L21/60 311S , H01L23/30 R

Fターム (13件)：

4M109AA01 , 4M109BA03 , 4M109DB16 , 5E314AA24 , 5E314AA39 , 5E314BB01 , 5E314BB09 , 5E314CC11 , 5E314FF01 , 5E314FF16 , 5E314FF17 , 5E314GG26 , 5F044KK01

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