特許

J-GLOBAL ID：201403055287425036

半導体装置およびその製造方法

発明者： 横山 孝司
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 特許業務法人つばさ国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-098525
公開番号（公開出願番号）：特開2014-220376
出願日： 2013年05月08日
公開日（公表日）： 2014年11月20日
要約：

【課題】接続抵抗を低減することが可能な半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】半導体基板の主面側にトランジスタ、前記半導体基板の裏面側に抵抗変化素子を備え、前記トランジスタは、前記半導体基板内に、前記半導体基板の裏面に達する低抵抗部を有し、前記低抵抗部の裏面に接して絶縁膜が設けられ、前記絶縁膜は、前記低抵抗部に対向して開口を有し、前記抵抗変化素子は、前記開口を通じて前記低抵抗部に接続されている半導体装置。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

半導体基板の主面側にトランジスタ、前記半導体基板の裏面側に抵抗変化素子を備え、 前記トランジスタは、前記半導体基板内に、前記半導体基板の裏面に達する低抵抗部を有し、 前記低抵抗部の裏面に接して絶縁膜が設けられ、 前記絶縁膜は、前記低抵抗部に対向して開口を有し、 前記抵抗変化素子は、前記開口を通じて前記低抵抗部に接続されている 半導体装置。

IPC (6件)：

H01L 27/105 ,  H01L 21/824 ,  H01L 43/08 ,  H01L 29/82 ,  H01L 45/00 ,  H01L 49/00

FI (6件)：

H01L27/10 448 ,  H01L27/10 447 ,  H01L43/08 Z ,  H01L29/82 Z ,  H01L45/00 Z ,  H01L49/00 Z

Fターム (54件)：

4M119AA17 ,  4M119BB01 ,  4M119CC05 ,  4M119DD03 ,  4M119DD06 ,  4M119DD07 ,  4M119DD08 ,  4M119DD17 ,  4M119DD33 ,  4M119DD45 ,  4M119EE22 ,  4M119EE27 ,  4M119FF05 ,  4M119FF17 ,  4M119FF19 ,  4M119GG01 ,  4M119JJ10 ,  4M119JJ15 ,  4M119KK07 ,  4M119KK09 ,  5F083FZ10 ,  5F083HA02 ,  5F083JA35 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA60 ,  5F083KA20 ,  5F083LA02 ,  5F083MA06 ,  5F083MA16 ,  5F083MA19 ,  5F083NA01 ,  5F083PR40 ,  5F092AA15 ,  5F092AB08 ,  5F092AC12 ,  5F092AD03 ,  5F092AD23 ,  5F092AD25 ,  5F092BB10 ,  5F092BB17 ,  5F092BB22 ,  5F092BB23 ,  5F092BB31 ,  5F092BB36 ,  5F092BB43 ,  5F092BB53 ,  5F092BC04 ,  5F092BC12 ,  5F092BC14 ,  5F092BC18 ,  5F092BC22