特許
J-GLOBAL ID：201403055383329889
配線基板及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岡本 啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-025210
公開番号（公開出願番号）：特開2014-154800
出願日： 2013年02月13日
公開日（公表日）： 2014年08月25日
要約：
【課題】シリコンインターポーザを使用することなく、高性能な電子部品を実装できる配線基板を提供する。【解決手段】配線層21と、配線層21が埋め込まれ、配線層21の下にビアホールVH1が形成された絶縁層31と、絶縁層31の下に形成され、ビアホールVH1内のビア導体を介して配線層21に接続された配線層22とを備えたベース配線基板2と、ベース配線基板2の上に形成され、配線層21の上にビアホールVH4が形成された絶縁層34と、絶縁層34の上に形成され、ビアホールVH4内のビア導体を介して配線層21に接続された再配線層41とを備えた再配線部3とを有し、再配線層41はシード層41a及びその上の金属めっき層41bから形成され、シード層41aの幅は金属めっき層41bの幅と同一又はそれより広いことを含む。【選択図】図13
請求項（抜粋）：
第1配線層と、
前記第1配線層が埋め込まれ、前記第1配線層の下に第1ビアホールが形成された第1絶縁層と、
前記第1絶縁層の下に形成され、前記第1ビアホール内のビア導体を介して前記第1配線層に接続された第2配線層と
を備えたベース配線基板と、
前記ベース配線基板の上に形成され、前記第1配線層の上に第2ビアホールが形成された第2絶縁層と、
前記第2絶縁層の上に形成され、前記第2ビアホール内のビア導体を介して前記第1配線層に接続された再配線層とを備えた再配線部と
を有し、
前記再配線層はシード層及びその上の金属めっき層から形成され、前記シード層の幅は前記金属めっき層の幅と同一又はそれより広いことを特徴とする配線基板。
IPC (2件)：
FI (5件)：
H01L23/12 N
, H01L23/12 501B
, H05K3/46 N
, H05K3/46 B
, H05K3/46 Q
5E346AA01
, 5E346AA15
, 5E346AA32
, 5E346AA43
, 5E346CC04
, 5E346CC09
, 5E346CC10
, 5E346CC32
, 5E346CC37
, 5E346CC38
, 5E346CC52
, 5E346CC57
, 5E346DD02
, 5E346DD22
, 5E346DD33
, 5E346EE31
, 5E346FF07
, 5E346FF14
, 5E346FF28
, 5E346GG15
, 5E346GG17
, 5E346GG22
, 5E346GG28
, 5E346HH25
, 5E346HH26
, 5E346HH31
