特許

J-GLOBAL ID：201403057436689788

圧電デバイス及び圧電デバイスの製造方法

発明者： 窪田 正積
出願人/特許権者： 日本電波工業株式会社
代理人 (1件)： 伊藤 信和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-042135
公開番号（公開出願番号）：特開2014-171116
出願日： 2013年03月04日
公開日（公表日）： 2014年09月18日
要約：

【課題】本発明は、シーム溶接によるスプラッシュの影響がキャビティ内に及ばない圧電デバイス及び圧電デバイスの製造方法を提供する。【解決手段】圧電デバイス(100)は、底面(121a)及び側壁(121b)により囲まれるキャビティ(121)を有し、長辺及び短辺を有するパッケージ(120)と、キャビティに載置される圧電振動片(110)と、側壁の上面に配置され、上面の全外周で側壁の外側側面(128b)まで延出したメタライズ膜(150)と、メタライズ膜に全周が溶接されてキャビティを密封する金属リッド(130)と、を含む。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

底面及び側壁により囲まれるキャビティを有し、長辺及び短辺を有するパッケージと、 前記キャビティに載置される圧電振動片と、 前記側壁の上面に配置され、前記上面の全外周で前記側壁の外側側面まで延出したメタライズ膜と、 前記メタライズ膜に全周が溶接されて前記キャビティを密封する金属リッドと、 を含む圧電デバイス。

IPC (5件)：

H03H 9/10 ,  H03H 9/02 ,  H03H 3/02 ,  H03B 5/32 ,  H01L 23/02

FI (6件)：

H03H9/10 ,  H03H9/02 K ,  H03H9/02 L ,  H03H3/02 B ,  H03B5/32 J ,  H01L23/02 C

Fターム (21件)：

5J079AA04 ,  5J079BA43 ,  5J079BA44 ,  5J079HA03 ,  5J079HA07 ,  5J079HA09 ,  5J079HA16 ,  5J079HA28 ,  5J108BB02 ,  5J108CC04 ,  5J108DD02 ,  5J108EE03 ,  5J108EE07 ,  5J108EE18 ,  5J108GG03 ,  5J108GG11 ,  5J108GG15 ,  5J108GG16 ,  5J108JJ04 ,  5J108KK04 ,  5J108MM02