特許
J-GLOBAL ID：201403058448911083
センサ・デバイスおよびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-161032
公開番号（公開出願番号）：特開2014-023002
出願日： 2012年07月19日
公開日（公表日）： 2014年02月03日
要約：
【課題】半導体センサのサイズを小さくし、センサ感度を高めること。【解決手段】半導体基板等の基板の厚み方向に深い溝を形成する。隣接する複数の溝の間の基板側壁(隔壁)の上面および/または下面に薄板を付着する。基板側壁(隔壁)に圧力や加速度や角速度や音波等の力量をかけると、溝同士の間の基板側壁(隔壁)(ダイヤフラムに相当)が湾曲して溝部の容量が変化する。この変化量を検出することにより、圧力や加速度や角速度や音波等の力量を検知できる。溝を深くすることにより、容量が増大するので、より面積の小さいセンサを作成できる。また、基板側壁(隔壁)を薄くすることにより、基板側壁(隔壁)の変形量を増大できるので、センサの感度も高まる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
上面および下面に貫通する少なくとも2つの溝(貫通溝または貫通孔)空間を有する導電体基板、前記導電体基板の上面(第1面)に付着した絶縁体基板(第1面絶縁体基板)および前記導電体基板の下面(第2面)に付着した絶縁体基板(第2面絶縁体基板)から構成されることを特徴とする静電容量型マイクロホンであって、
隣接する2つの貫通溝(第1貫通溝および第2貫通溝)を横方向(導電体基板の厚さ方向に対して略直角方向)に隔てる導電体基板を一方の電極(第1基板側壁容量電極)とし、
前記第1基板側壁容量電極と前記隣接する貫通溝のうちの1つ(第1貫通溝)を挟んで対向し、前記第1基板側壁容量電極と電気的に導通しない導電体基板の側壁を他方の対向電極(第2基板側壁容量電極)とし、これらの第1基板側壁容量電極および第2基板側壁容量電極の間の第1貫通溝(空間)を静電容量空間とし、
前記第1基板側壁容量電極が音波により振動し変位することにより前記第1貫通溝空間の静電容量が変化することを用いて音波を検出することを特徴とし、さらに
第1基板側壁容量電極は、その上面が第1面絶縁体基板に付着、および/またはその下面が第2面絶縁体基板に付着していること、および/または
第2基板側壁容量電極は、その上面が第1面絶縁体基板に付着、および/またはその下面が第2面絶縁体基板に付着していること、を特徴とする、静電容量型マイクロホン。
IPC (7件)：
H04R 19/04
, H04R 31/00
, G01P 15/125
, H02N 2/18
, H01L 29/84
, H01L 41/113
, H01L 41/08
H04R19/04
, H04R31/00 C
, G01P15/125 Z
, H02N2/00 A
, H01L29/84 Z
, H01L41/08 G
, H01L41/08 H
4M112AA01
, 4M112AA02
, 4M112AA06
, 4M112BA07
, 4M112CA01
, 4M112CA03
, 4M112CA04
, 4M112CA05
, 4M112CA11
, 4M112CA12
, 4M112CA13
, 4M112CA14
, 4M112DA03
, 4M112DA04
, 4M112DA05
, 4M112DA06
, 4M112DA10
, 4M112DA13
, 4M112DA14
, 4M112DA15
, 4M112DA18
, 4M112EA03
, 4M112EA06
, 4M112EA07
, 4M112EA08
, 4M112EA09
, 4M112EA10
, 4M112EA11
, 4M112EA13
, 4M112EA14
, 4M112EA15
, 4M112EA18
, 4M112FA01
, 4M112FA20
, 5D021CC01
, 5D021CC03
, 5D021CC07
, 5D021CC08
, 5D021CC20
