特許

J-GLOBAL ID：201403058740158370

反射型フォトマスクの露光方法

発明者： 木下 健
出願人/特許権者： 旭硝子株式会社
代理人 (3件)： 渡辺 望稔 ,  三和 晴子 ,  竹本 洋一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-006673
公開番号（公開出願番号）：特開2014-138123
出願日： 2013年01月17日
公開日（公表日）： 2014年07月28日
要約：

【課題】より高いエネルギーを有する光線を露光に使用した場合でも、吸収層に形成されたマスクパターンの歪みや、多層反射膜を構成する各層界面のミキシングの進行による、EUV光照射時の反射特性の変化のおそれを抑制できる、EUVリソグラフィ用反射型フォトマスクの露光方法を提供する。【解決手段】EUVリソグラフィ用反射型マスクのマスクパターン領域21の外側の領域22に、N型半導体端子30aおよびP型半導体端子30bの組み合わせからなる少なくとも一対の端子を接触させて、前記N型半導体端子30aから、基板上の反射層と吸収層を電気媒体として、前記P型半導体端子30bへ直流電流を流すことで、前記マスクパターン領域の外側の領域22の前記一対の端子と接触させた部位を冷却しながら、EUVリソグラフィ用反射型マスク10Aの前記マスクパターン領域21にEUV光を照射してマスクパターンを転写する露光方法。【選択図】図4

請求項（抜粋）：

基板上に、マスクパターン領域と、該マスクパターン領域の外側の領域と、を有し、 前記マスクパターン領域において、前記基板上にEUV光を反射する反射層を有し、該反射層上にEUV光を吸収する吸収層を有する部位と、前記吸収層を有さない部位と、の配置がマスクパターンをなし、 前記マスクパターン領域の外側の領域において、前記基板上に、EUV光を反射する反射層、EUV光を吸収する吸収層をこの順に有するEUVリソグラフィ用反射型マスクの前記マスクパターン領域にEUV光を照射して、マスクパターンを転写する露光方法であって、 前記マスクパターン領域の外側の領域に、N型半導体端子およびP型半導体端子の組み合わせからなる少なくとも一対の端子を接触させて、前記N型半導体端子から、前記基板上の前記反射層および前記吸収層を電気媒体として、前記P型半導体端子へ直流電流を流すことで、前記マスクパターン領域の外側の領域の前記一対の端子と接触させた部位を冷却しながら、EUVリソグラフィ用反射型マスクの前記マスクパターン領域にEUV光を照射してマスクパターンを転写する露光方法。

IPC (3件)：

H01L 21/027 ,  G03F 1/24 ,  G03F 7/20

FI (3件)：

H01L21/30 531M ,  G03F1/24 ,  G03F7/20 503

Fターム (18件)：

2H095BA10 ,  2H095BB37 ,  2H095BB38 ,  2H095BC24 ,  2H097CA15 ,  2H097LA10 ,  5F146DA06 ,  5F146DA26 ,  5F146GA21 ,  5F146GA25 ,  5F146GA28 ,  5F146GD02 ,  5F146GD03 ,  5F146GD04 ,  5F146GD05 ,  5F146GD06 ,  5F146GD22 ,  5F146GD23