特許
J-GLOBAL ID：201403059177070343
薄膜デバイスの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (3件)：
川野 宏
, 大西 正悟
, 並木 敏章
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-023446
公開番号（公開出願番号）：特開2014-154382
出願日： 2013年02月08日
公開日（公表日）： 2014年08月25日
要約：
【課題】有機電界発光素子と、この有機電界発光素子を駆動するTFT素子とを一体的に形成する際に、成膜工程の効率化を図り得る薄膜デバイスの製造方法を提供する。 【解決手段】基板1上に下地層11、ゲート電極膜12を形成し(工程1)、ゲート絶縁膜13を形成する(工程2)。この後、有機電界発光素子10の電子注入層(金属酸化物)3とTFT素子20の酸化物半導体層(ソース領域およびドレイン領域を有する層)14を、スパッタリングにより同時に形成する(工程3)。次にソース/ドレイン電極膜16を形成し(工程4)、保護膜15を形成し、(工程5)、続いて、有機電界発光素子10のバッファ層9、電子輸送層4、発光層5、正孔輸送層6、正孔注入層7および陽極8をこの順に積層形成する(工程6)。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
有機電界発光素子と、この有機電界発光素子を駆動するTFT素子とを一体的に形成する薄膜デバイスの製造方法において、
前記有機電界発光素子にあっては、陰極からなる第1の電極膜と陽極からなる第2の電極膜との間に電子注入層および発光層を含む複数の層を積層して形成するとともに、前記TFT素子にあっては、前記基板上に、ゲート電極膜と、ゲート絶縁膜と、ソース領域およびドレイン領域を有する層を含む複数の層を積層して形成し、
その際に、前記有機電界発光素子の電子注入層と、前記TFT素子のソース領域およびドレイン領域を有する層とを、同一の金属酸化物材料により同時に形成することを特徴とする薄膜デバイスの製造方法。
IPC (3件)：
H05B 33/10
, H01L 51/50
, H05B 33/08
H05B33/10
, H05B33/14 A
, H05B33/08
, H05B33/22 B
3K107AA02
, 3K107BB01
, 3K107CC45
, 3K107DD74
, 3K107DD85
, 3K107EE04
, 3K107FF04
, 3K107GG28
