特許
J-GLOBAL ID：201403059413131650

ウエーハの加工方法

発明者：
早川 晋

早川 晋 について


出願人/特許権者：
株式会社ディスコ

株式会社ディスコ について


代理人 (2件)： 松本 昂 ,  大上 寛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-194884
公開番号（公開出願番号）：特開2014-053352
出願日： 2012年09月05日
公開日（公表日）： 2014年03月20日
要約：
【課題】埋め込み電極がウエーハの裏面に露出しない程度にウエーハの裏面を確実に研削する。【解決手段】それぞれデバイスが形成され、各デバイスから複数の埋め込み電極が埋設されるとともに、外周縁に面取り部を有するウエーハ11を個々のデバイスに分割するウエーハ11の加工方法であって、ウエーハ11の外周縁に切削ブレードを位置づけてウエーハを表面側から所定の深さ円形に切削し面取り部を部分的に除去する工程と、埋め込み電極が裏面11bに露出しない程度にウエーハ11の裏面を研削する工程と、ウエーハ11の裏面からウエーハ11をエッチングして埋め込み電極をウエーハ11の裏面から突出させて貫通電極とする工程と、を含み、面取り部除去工程において、所定の深さとはウエーハの表面から裏面に向かって埋設された埋め込み電極の終点を僅かに超えた深さであり、裏面研削工程において、残存していた面取り部が除去された際研削を終了する。【選択図】図5
請求項（抜粋）：
表面に格子状に形成された複数の分割予定ラインによって区画された各領域にそれぞれデバイスが形成され、該各デバイスからウエーハの仕上がり厚さ以上の深さに至る複数の埋め込み電極が埋設されるとともに、外周縁に面取り部を有するウエーハを個々のデバイスに分割するウエーハの加工方法であって、 ウエーハの外周縁に切削ブレードを位置づけてウエーハを表面側から仕上げ厚さを越えて円形に切削し面取り部を部分的に除去する面取り部除去工程と、 該面取り部除去工程を実施した後に、ウエーハの表面に樹脂を介してキャリアプレートを配設するキャリアプレート配設工程と、 該キャリアプレート配設工程を実施した後、該埋め込み電極が裏面に露出しない程度にウエーハの裏面を研削して薄化する裏面研削工程と、 該裏面研削工程を実施した後、ウエーハの裏面からウエーハをエッチングして該埋め込み電極をウエーハの裏面から突出させて貫通電極とするエッチング工程と、 該エッチング工程を実施した後、ウエーハの裏面に絶縁膜を被覆する絶縁膜被覆工程と、 該絶縁膜被覆工程を実施した後、ウエーハの裏面から突出した該貫通電極を除去して該絶縁膜から露出させるとともに該貫通電極の頭を該絶縁膜と同一面に仕上げる仕上げ工程と、 該仕上げ工程を実施した後、該各貫通電極の頭にバンプを配設するバンプ配設工程と、 該バンプ配設工程を実施した後、ウエーハの裏面にダイシングテープを貼着するとともにウエーハの表面から該キャリアプレートを取り外し、ウエーハを該ダイシングテープに移し替える移し替え工程と、 該移し替え工程を実施した後、ウエーハを個々のデバイスに分割する分割工程と、を含み、 前記面取り部除去工程において、該所定の深さとはウエーハの表面から裏面に向かって埋設された埋め込み電極の終点を僅かに超えた深さであり、 前記裏面研削工程において、残存していた該面取り部が除去された際研削を終了することを特徴とするウエーハの加工方法。
IPC (3件)：
H01L 21/304 ,  H01L 21/301 ,  B24B 1/00
FI (5件)：
H01L21/304 622S ,  H01L21/304 601B ,  H01L21/78 Q ,  H01L21/304 601Z ,  B24B1/00 A
Fターム (23件)：
3C049AA03 ,  3C049AA13 ,  3C049AB01 ,  3C049AC02 ,  3C049BA02 ,  3C049BA07 ,  3C049BC02 ,  3C049CA05 ,  3C049CB01 ,  5F057AA11 ,  5F057BA15 ,  5F057BA26 ,  5F057CA14 ,  5F057CA16 ,  5F057CA24 ,  5F057CA25 ,  5F057CA31 ,  5F057DA03 ,  5F057DA11 ,  5F057DA28 ,  5F057FA15 ,  5F057FA16 ,  5F057FA22
引用特許：
審査官引用 (4件)
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