光変調器

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-030073
公開番号（公開出願番号）：特開2014-160131
出願日： 2013年02月19日
公開日（公表日）： 2014年09月04日
要約：

【課題】RF駆動電圧とともにDCバイアス電圧が小さい光変調器を提供する。【解決手段】基板と、基板に形成された2本の光導波路と、高周波電気信号用の中心電極及び接地電極を有する進行波電極と、バイアス電圧を印加するバイアス電極とを有するバイアス分離型構造であり、光導波路には高周波電気信号用相互作用部とバイアス用相互作用部とを具備し、高周波電気信号用相互作用部とDCバイアス用相互作用部の両方にドライエッチング装置によって形成されるリッジ部を具備する光変調器であって、DCバイアス用相互作用部において、対向するバイアス電極の間に複数のリッジ部を有しており、各リッジ部はその側壁が前記ドライエッチング装置で定まる所定角度で傾斜して形成され、隣接するリッジ部間においてその側壁が鋭角で交差してなり、DCバイアス用相互作用部におけるリッジ部の高さが等価的に低くなる。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

電気光学効果を有する基板と、該基板に形成された光を導波するための少なくとも2本の光導波路と、前記基板の一方の面側に形成され、前記光を変調する高周波電気信号が伝搬する高周波電気信号用の中心電極及び接地電極を有する進行波電極と、前記光にバイアス電圧を印加するバイアス電極とを有するバイアス分離型構造であり、前記光導波路には前記進行波電極に前記高周波電気信号が印加されることにより前記光の位相を変調するための高周波電気信号用相互作用部と、前記バイアス電極にバイアス電圧を印加することにより前記光の位相を調整するためのバイアス用相互作用部とを具備し、前記高周波電気信号用相互作用部と前記DCバイアス用相互作用部の両方について前記光導波路に沿って前記基板の一部を掘り下げて形成されたリッジ部を具備し、当該リッジ部がドライエッチング装置によって形成される光変調器において、前記DCバイアス用相互作用部にて、対向する前記バイアス電極の間に複数の前記リッジ部を有しており、各リッジ部はその側壁が前記ドライエッチング装置で定まる所定角度で傾斜して形成され、隣接するリッジ部間においてその側壁が鋭角で交差することを特徴とする光変調器。

IPC (1件)：

G02F 1/035

FI (1件)：

G02F1/035

Fターム (10件)：

2H079AA02 , 2H079AA12 , 2H079BA01 , 2H079BA03 , 2H079DA03 , 2H079EA05 , 2H079EB04 , 2H079HA12 , 2H079JA07 , 2H079KA18

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