特許

J-GLOBAL ID：201403061450198298

新規イミダゾール化合物、電子デバイス用材料、発光素子、電子デバイス及びその製造方法

発明者： 八田 泰三 ,  水城 圭司 ,  桑原 廉枋 ,  平尾 純孝
出願人/特許権者： 日本合成化学工業株式会社 ,  学校法人君が淵学園
代理人 (1件)： 米田 圭啓
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-064900
公開番号（公開出願番号）：特開2014-208632
出願日： 2014年03月26日
公開日（公表日）： 2014年11月06日
要約：

【課題】本発明は、発光素子構造の低層化が可能であり、薄膜の安定性に優れた新規イミダゾール化合物を提供する。【解決手段】本発明は一般式(1)で示されるイミダゾール化合物を提供するものである。【化1】(式(1)中、R1、R2、R3及びR4は、それぞれ独立に、直接結合するか、又は共役構造を有する結合鎖を介して連結したジベンゾチオフェニル基、水素原子、炭素数1〜10のアルキル基又は芳香族炭化水素基を表し、R1、R2、R3及びR4のうち少なくとも1つは、直接結合するか、又は共役構造を有する結合鎖を介して連結したジベンゾチオフェニル基である。)【選択図】なし

請求項（抜粋）：

一般式(1)で示されるイミダゾール化合物。

IPC (4件)：

C07D 409/10 ,  C07D 409/14 ,  H01L 51/50 ,  H05B 33/10

FI (4件)：

C07D409/10 ,  C07D409/14 ,  H05B33/14 B ,  H05B33/10

Fターム (20件)：

3K107AA01 ,  3K107BB01 ,  3K107BB02 ,  3K107BB03 ,  3K107BB04 ,  3K107BB06 ,  3K107BB08 ,  3K107CC24 ,  3K107CC45 ,  3K107DD53 ,  3K107DD68 ,  3K107GG04 ,  3K107GG06 ,  4C063AA01 ,  4C063AA03 ,  4C063AA05 ,  4C063BB06 ,  4C063CC94 ,  4C063DD25 ,  4C063EE10