特許
J-GLOBAL ID：201403061491144585
新規な化合物半導体及びその活用
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人池内・佐藤アンドパートナーズ
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-508303
公開番号（公開出願番号）：特表2014-522562
出願日： 2012年05月11日
公開日（公表日）： 2014年09月04日
要約：
本発明による化合物半導体は、次の化学式1のように表示できる。【化1】 上記化学式1において、Mは、Ca、Sr、Ba、Ti、V、Cr、Mn、Cu、Zn、Ag、Cd、Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、及びLuからなる群より選択された少なくとも一つであり、Aは、Fe、Ni、Ru、Rh、Pd、Ir、及びPtからなる群より選択された少なくとも一つであり、Xは、Si、Ga、Ge、及びSnからなる群より選択された少なくとも一つであり、Qは、O、S、Se、及びTeからなる群より選択された少なくとも一つであり、0<x<1、0≦y<1、0≦m≦1、0≦a≦1、0≦n<9、0≦z≦4、0≦b≦3、及び0<n+z+bである。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
下記化学式1で表される化合物半導体。
IPC (9件)：
H01L 35/18
, H01L 31/025
, H02N 11/00
, H02S 99/00
, H01L 35/34
, C22C 12/00
, C22C 1/04
, H01L 35/16
, H01L 35/22
H01L35/18
, H01L31/04 320
, H02N11/00 A
, H02N6/00
, H01L35/34
, C22C12/00
, C22C1/04 B
, H01L35/16
, H01L35/22
4K018AA40
, 4K018AB01
, 4K018AC01
, 4K018BA04
, 4K018BA20
, 4K018BC01
, 4K018BC12
, 4K018CA23
, 4K018KA32
, 5F151AA07
