特許
J-GLOBAL ID：201403061709288134

光電変換素子および光電変換素子の製造方法

発明者：
浅野 直城

浅野 直城 について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (1件)： 特許業務法人深見特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-223168
公開番号（公開出願番号）：特開2014-075526
出願日： 2012年10月05日
公開日（公表日）： 2014年04月24日
要約：
【課題】高い変換効率を有するヘテロ接合型バックコンタクトセルを簡易な製造工程で製造することができる光電変換素子および光電変換素子の製造方法を提供する。【解決手段】第1導電型非晶質膜10と第2導電型非晶質膜5との間にi型非晶質膜9が設けられており、第1導電型用電極層11と第2導電型用電極層6とがi型非晶質膜9によって電気的に絶縁されている。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
第1導電型または第2導電型の半導体基板と、 前記半導体基板の一方の表面の一部の領域上に設けられた第2導電型非晶質膜と、 前記半導体基板の前記表面の他の一部の領域上に設けられたi型非晶質膜と第1導電型非晶質膜との積層体と、 前記積層体上に設けられた第1導電型用電極層と、 前記第2導電型非晶質膜上に設けられた第2導電型用電極層と、を備え、 前記第1導電型非晶質膜と前記第2導電型非晶質膜との間に前記i型非晶質膜が設けられており、 前記第1導電型用電極層と前記第2導電型用電極層とが前記i型非晶質膜によって電気的に絶縁されている、光電変換素子。
IPC (1件)：
H01L 31/06
FI (2件)：
H01L31/04 A ,  H01L31/04 N
Fターム (13件)：
5F151AA02 ,  5F151AA03 ,  5F151AA05 ,  5F151BA14 ,  5F151CA14 ,  5F151CB12 ,  5F151CB15 ,  5F151CB30 ,  5F151DA04 ,  5F151DA10 ,  5F151FA06 ,  5F151GA04 ,  5F151HA01
引用特許：
審査官引用 (3件)

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