特許
J-GLOBAL ID：201403062179173760
半導体素子の製造方法、接着剤層付き半導体素子、及び半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
長谷川 芳樹
, 清水 義憲
, 酒巻 順一郎
, 中山 浩光
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-209498
公開番号（公開出願番号）：特開2014-063954
出願日： 2012年09月24日
公開日（公表日）： 2014年04月10日
要約：
【課題】接着剤層の厚みの均一性を確保し、信頼性を向上できる半導体素子の製造方法、接着剤層付き半導体素子、及び半導体装置を提供する。【解決手段】この半導体素子の製造方法では、接着剤層3の形成から、半硬化、ダイシングテープ6の貼り付けまでを同一の支持台P上で行っている。これにより、接着剤組成物を塗布したときの厚みの均一性を好適に維持したまま半硬化を実施することができ、接着剤層3の接着強度を十分に確保できる。また、ダイシングテープ6のラミネートを同一の支持台上で行うことで、後の工程において、ダイシングテープ6が積層された状態で半導体ウェハ1の搬送等を行うことができ、半導体ウェハ1の破損や汚染を防止することができる。以上により、この製造方法を用いて製造される半導体装置15において、信頼性の向上が図られる。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
半導体ウェハに接着剤組成物を塗布して接着剤層を形成する接着剤層形成工程と、
前記接着剤層に光を照射して半硬化させる半硬化工程と、
前記半導体ウェハにダイシングテープを貼り付けるダイシングテープ貼付工程と、を備え、
前記接着剤層形成工程、前記半硬化工程、及び前記ダイシングテープ貼付工程をいずれも同一の支持台上で実施することを特徴とする半導体素子の製造方法。
IPC (5件)：
H01L 21/301
, C09J 201/00
, H01L 25/18
, H01L 25/07
, H01L 25/065
H01L21/78 M
, C09J201/00
, H01L25/08 Z
4J040JB08
, 4J040LA01
, 4J040LA06
, 4J040MA02
, 4J040MA10
, 4J040MB03
, 4J040NA20
, 4J040PA25
, 4J040PA32
, 4J040PA33
