特許

J-GLOBAL ID：201403062618170447

半導体装置及びその製造方法

発明者： 中村 暢之
出願人/特許権者： ピーエスフォー ルクスコ エスエイアールエル
代理人 (3件)： 宮崎 昭夫 ,  石橋 政幸 ,  緒方 雅昭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-136010
公開番号（公開出願番号）：特開2014-003081
出願日： 2012年06月15日
公開日（公表日）： 2014年01月09日
要約：

【課題】基板自体のゲッタリング効果に依存しない、貫通電極を有する半導体装置構造を提供する。【解決手段】基板1の第1の主面Aに形成された半導体素子3と、基板1の第1の主面Aと対向する第2の主面Bに形成された窒化シリコンを含む保護膜であって、膜全体の組成が化学量論組成の窒化シリコンよりもシリコンの組成が大きい保護膜8と、基板1を厚さ方向に貫通する貫通電極9とを有する半導体装置。保護膜8は、シリコンリッチな窒化シリコン膜又は基板側に多結晶シリコン膜とその上に窒化シリコン膜を形成した積層膜が使用できる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板の第1の主面に形成された半導体素子と、 前記基板の第1の主面と対向する第2の主面に形成された窒化シリコンを含む保護膜であって、膜全体の組成が化学量論組成の窒化シリコンよりもシリコンの組成が大きい保護膜と、 前記基板を厚さ方向に貫通する貫通電極と、 を有することを特徴とする半導体装置。

IPC (6件)：

H01L 21/320 ,  H01L 21/768 ,  H01L 23/522 ,  H01L 21/322 ,  H01L 23/532 ,  H01L 21/318

FI (4件)：

H01L21/88 J ,  H01L21/322 N ,  H01L21/90 M ,  H01L21/318 B

Fターム (40件)：

5F033HH07 ,  5F033HH11 ,  5F033HH18 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ18 ,  5F033KK07 ,  5F033KK11 ,  5F033KK18 ,  5F033MM08 ,  5F033MM30 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP15 ,  5F033PP27 ,  5F033QQ00 ,  5F033QQ07 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ24 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ47 ,  5F033QQ48 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR20 ,  5F033RR22 ,  5F033SS02 ,  5F033SS11 ,  5F033VV07 ,  5F033VV16 ,  5F033XX28 ,  5F058BA05 ,  5F058BA20 ,  5F058BC08 ,  5F058BC10 ,  5F058BF02 ,  5F058BF24 ,  5F058BF30 ,  5F058BJ01