特許
J-GLOBAL ID：201403062764994842
光電変換素子とその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岡本 啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-260584
公開番号（公開出願番号）：特開2014-107465
出願日： 2012年11月29日
公開日（公表日）： 2014年06月09日
要約：
【課題】光電変換素子とその製造方法において、変換効率を向上させること。【解決手段】陽極2と、陽極2の上に設けられ、MoO3を含むバッファ層3と、バッファ層3の上に設けられ、PCDTBTを材料とするp型有機半導体6、n型有機半導体7、及びドーパント21aを含む光電変換層9と、光電変換層9の上に設けられた陰極21とを有し、光電変換層9におけるp型有機半導体6の濃度が、陽極2から陰極21に向かって低下し、光電変換層9におけるドーパント21aの濃度が、陽極2から陰極21に向かって低下する光電変換素子による。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
陽極と、
前記陽極の上に設けられ、MoO3を含むバッファ層と、
前記バッファ層の上に設けられ、ポリ-[N-9”-ヘプタデカニル-2,7-カルバゾール-alt-5,5-(4’,7’-ジ-2-チエニル2’,1’,3’-ベンゾチアジアゾール)]を材料とするp型有機半導体、n型有機半導体、及びドーパントを含む光電変換層と、
前記光電変換層の上に設けられた陰極とを有し、
前記光電変換層における前記p型有機半導体の濃度が、前記陽極から前記陰極に向かって低下し、
前記光電変換層における前記ドーパントの濃度が、前記陽極から前記陰極に向かって低下するか、又は前記陰極から前記陽極に向かって低下する光電変換素子。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (15件)：
5F151AA11
, 5F151AA16
, 5F151CB13
, 5F151CB20
, 5F151CB24
, 5F151DA03
, 5F151DA12
, 5F151FA04
, 5F151FA06
, 5F151FA09
, 5F151FA14
, 5F151FA15
, 5F151FA18
, 5F151FA25
, 5F151GA03
