特許
J-GLOBAL ID：201403062989734343
光電変換素子の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人深見特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-200283
公開番号（公開出願番号）：特開2014-056919
出願日： 2012年09月12日
公開日（公表日）： 2014年03月27日
要約：
【課題】簡易な製造工程で製造することができる光電変換素子の製造方法を提供する。【解決手段】第1導電型の半導体基板の一方の表面上にi型非晶質膜および第2導電型非晶質膜を形成する工程と、第2導電型非晶質膜の一部の表面上にマスク材を設置する工程と、i型非晶質膜の少なくとも一部を残すようにマスク材から露出している第2導電型非晶質膜をドライエッチングによって除去する工程と、を含む、光電変換素子の製造方法である。【選択図】図4
請求項（抜粋）：
第1導電型の半導体基板の一方の表面上にi型非晶質膜を形成する工程と、
前記i型非晶質膜の表面上に第2導電型非晶質膜を形成する工程と、
前記第2導電型非晶質膜の一部の表面上にマスク材を設置する工程と、
前記i型非晶質膜の少なくとも一部を残すように前記マスク材から露出している前記第2導電型非晶質膜をドライエッチングによって除去する工程と、
前記i型非晶質膜および前記マスク材を覆うように第1導電型非晶質膜を形成する工程と、
前記マスク材を除去することによって前記第2導電型非晶質膜の表面を露出させる工程と、
前記第1導電型非晶質膜の表面上および前記第2導電型非晶質膜の表面上に電極層を形成する工程と、を含む、光電変換素子の製造方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (16件)：
5F151AA02
, 5F151CA02
, 5F151CA03
, 5F151CA04
, 5F151CA15
, 5F151CB15
, 5F151CB18
, 5F151CB22
, 5F151CB27
, 5F151EA11
, 5F151EA14
, 5F151EA18
, 5F151FA04
, 5F151FA06
, 5F151GA04
, 5F151HA03
