特許

J-GLOBAL ID：201403063134693867

低ターンオン電圧を有するヘテロ接合のユニポーラ・ダイオード

発明者： サウダイ,ドナルド,ジェイ. ,  ロイ,クウォク,ケー. ,  ラディシック,ヴェスナ
出願人/特許権者： ノースロップ グラマン システムズ コーポレーション
代理人 (3件)： 岡部 讓 ,  吉澤 弘司 ,  川崎 孝
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-514467
公開番号（公開出願番号）：特表2014-519711
出願日： 2012年05月14日
公開日（公表日）： 2014年08月14日
要約：

低ターンオン電圧のユニポーラ・ダイオードは、サブカソード半導体層、低ドープで広バンドギャップのカソード半導体層、および高ドープで狭バンドギャップのアノード半導体層を含む。カソード層とアノード層の間の接合が、伝導帯における電子障壁を生成し、この障壁は、ダイオードに対して低ターンオン電圧をもたらすように構成される。

請求項（抜粋）：

サブカソード半導体層と、 低ドープで広バンドギャップのカソード半導体層と、 高ドープで狭バンドギャップのアノード半導体層とを備える低ターンオン電圧のユニポーラ・ダイオードであって、 前記カソード層と前記アノード層の間の接合が、伝導帯における電子障壁を生成し、前記障壁が、前記ダイオードに対して低ターンオン電圧をもたらすように構成されるユニポーラ・ダイオード。

IPC (4件)：

H01L 29/868 ,  H01L 29/861 ,  H01L 21/329 ,  H01L 29/06

FI (6件)：

H01L29/91 C ,  H01L29/91 H ,  H01L29/91 A ,  H01L29/91 F ,  H01L29/06 301M ,  H01L29/06 301V

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 特開昭56-120170