特許
J-GLOBAL ID:201403063294831522

荷電層を備えるセンサーチップ及びその用途

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 特許業務法人SSINPAT
公報種別:再公表公報
出願番号(国際出願番号):JP2012063337
公開番号(公開出願番号):WO2012-161256
出願日: 2012年05月24日
公開日(公表日): 2012年11月29日
要約:
本発明は、最表面に正または負に荷電した層(荷電層)が形成されていることを特徴とする、分子間相互作用検出装置用のセンサーチップを提供する。前記荷電層は、好ましくはイオン性ポリマーからなる層であり、当該イオン性ポリマーは好ましくはカチオン性官能基を側鎖に有するポリマーである。このようなセンサーチップを使用することにより、当該センサーチップの荷電層の電荷の対イオンを有する、負または正に荷電した物質を被測定物質とする分子間相互作用検出方法を行うことができ、たとえば、前記センサーチップの最表面に静電相互作用により固定化した前記被測定物質からなる層の厚さ、すなわち被測定物質の分子長を算出することが可能である。本発明はさらに、前記センサーチップの荷電層の上面に、静電相互作用により固定化されている、当該荷電層とは逆に荷電した微粒子(荷電微粒子)およびそれに結合したリガンドからなる複合体(リガンド担持荷電微粒子)により形成されている層(固定化リガンド層)を備えていることを特徴とする、分子間相互作用測定用のリガンド固定化センサーチップを提供する。
請求項(抜粋):
最表面に正または負に荷電した層(荷電層)が形成されていることを特徴とする、分子間相互作用測定用のセンサーチップ。
IPC (2件):
G01N 33/543 ,  G01N 21/27
FI (3件):
G01N33/543 525W ,  G01N33/543 595 ,  G01N21/27 B
Fターム (13件):
2G059AA01 ,  2G059BB04 ,  2G059BB12 ,  2G059CC16 ,  2G059EE01 ,  2G059EE02 ,  2G059EE09 ,  2G059EE12 ,  2G059EE17 ,  2G059JJ01 ,  2G059JJ17 ,  2G059JJ21 ,  2G059KK01

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