六ホウ化ランタン焼結体、その製造方法、六ホウ化ランタン膜及び有機半導体デバイス

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：大谷保 , 東平正道 , 有永俊
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-156358
公開番号（公開出願番号）：特開2014-019584
出願日： 2012年07月12日
公開日（公表日）： 2014年02月03日
要約：

【課題】仕事関数が低い六ホウ化ランタン膜を得ることが可能であり、相対密度の高い六ホウ化ランタン焼結体及びその製造方法を提供する。【解決手段】六ホウ化ランタンと4f軌道の電子を有する希土類金属のホウ化物とが固溶してなる六ホウ化ランタン焼結体であって、酸素元素含有量が1.0質量%以下、炭素元素含有量が0.1質量%以下であり、相対密度が88%以上であり、かつ、格子定数が4.1445Å以上4.1518Å以下である、六ホウ化ランタン焼結体。六ホウ化ランタン粉末及び4f軌道の電子を有する希土類金属のホウ化物粉末を、酸処理して、純化した六ホウ化ランタン粉末及び純化した希土類金属ホウ化物粉末を得る工程(a)と、前記工程(a)で得られた純化した六ホウ化ランタン粉末及び純化した希土類金属ホウ化物粉末の混合粉末を、還元雰囲気及び不活性ガス雰囲気から選択される1つの雰囲気中にて、1700°C以上、かつ10MPa以上で焼結する工程(b)とを有する、六ホウ化ランタン焼結体の製造方法。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

六ホウ化ランタンと4f軌道の電子を有する希土類金属のホウ化物とが固溶してなる六ホウ化ランタン焼結体であって、酸素元素含有量が1.0質量%以下、炭素元素含有量が0.1質量%以下であり、相対密度が88%以上であり、かつ、格子定数が4.1445Å以上4.1518Å以下である、六ホウ化ランタン焼結体。

IPC (4件)：

C04B 35/50 , C01B 35/04 , C23C 14/34 , C23C 14/06

FI (4件)：

C04B35/50 , C01B35/04 A , C23C14/34 A , C23C14/06 C

Fターム (9件)：

4K029AA09 , 4K029AA24 , 4K029BA53 , 4K029BB08 , 4K029CA05 , 4K029DC05 , 4K029DC09 , 4K029DC34 , 4K029DC39

引用特許：

審査官引用 (4件)

金属ホウ化物焼結体の製造方法、ホウ化ランタン焼結体及びそれを用いたターゲット
公報種別：公開公報出願番号：特願2009-298454 出願人：住友大阪セメント株式会社
特開昭52-036120
特開昭52-036120

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引用文献：

審査官引用 (2件)

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