特許

J-GLOBAL ID：201403063400782137

流動保護液体層を含むプラズマ処理装置のチャンバ壁

発明者： ハーミート・シン
出願人/特許権者： ラム リサーチ コーポレーション
代理人 (2件)： 特許業務法人明成国際特許事務所 ,  下出 隆史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-114619
公開番号（公開出願番号）：特開2014-239220
出願日： 2014年06月03日
公開日（公表日）： 2014年12月18日
要約：

【課題】プラズマ処理装置のプラズマ暴露面を保護する流動保護液体層を有する半導体プラズマ処理装置を提供する。【解決手段】半導体基板が内部で処理される真空チャンバ10と、真空チャンバ内にプロセスガスを供給するために真空チャンバと流体連絡するプロセスガス源と、真空チャンバ内でプロセスガスを励起してプラズマ状態にするように適合されたRFエネルギー源とを含む。また、チャンバ壁305を含むことができ、チャンバ壁が、チャンバ壁のプラズマ曝露面301にプラズマ適合液体を供給するための手段を含み、プラズマ適合液体が、プラズマ曝露面にわたって流れ、それによりプラズマ曝露面上に流動保護液体層302を形成する。液体供給源250が、チャンバ壁にプラズマ適合液体を送給する。【選択図】図2A

請求項（抜粋）：

半導体基板が内部で処理される真空チャンバと、 前記真空チャンバ内にプロセスガスを供給するために前記真空チャンバと流体連絡するプロセスガス源と、 前記真空チャンバ内で前記プロセスガスを励起してプラズマ状態にするように適合されたRFエネルギー源と、 チャンバ壁とを備える半導体プラズマ処理装置であって、前記チャンバ壁が、前記チャンバ壁のプラズマ曝露面にプラズマ適合液体を供給するための手段を含み、前記液体が、前記プラズマ曝露面の一部分に供給され、前記プラズマ曝露面にわたって流され、前記流されたプラズマ適合液体が、前記プラズマ曝露面上に流動保護液体層を形成し、 半導体プラズマ処理装置がさらに、前記チャンバ壁に前記プラズマ適合液体を送給する液体供給源を備える 半導体プラズマ処理装置。

IPC (4件)：

H01L 21/306 ,  H01L 21/205 ,  C23C 16/44 ,  C23C 16/505

FI (4件)：

H01L21/302 101G ,  H01L21/205 ,  C23C16/44 J ,  C23C16/505

Fターム (9件)：

4K030DA06 ,  4K030FA01 ,  4K030KA49 ,  5F004BB29 ,  5F004BB30 ,  5F045AA08 ,  5F045BB15 ,  5F045EB03 ,  5F045EC05