特許

J-GLOBAL ID：201403063579995235

非水系二次電池用正極及びその製造方法、非水系二次電池ならびに電気機器

発明者： 川上 貴洋 ,  山梶 正樹 ,  元吉 真子 ,  矢田部 莉加
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-228434
公開番号（公開出願番号）：特開2014-112540
出願日： 2013年11月01日
公開日（公表日）： 2014年06月19日
要約：

【課題】少量の導電助剤で、電子伝導性の高い活物質層を含む非水系二次電池用正極を提供する。また、少量の導電助剤で、充填量が高く高密度化された活物質層を含む非水系二次電池用正極を提供する。【解決手段】層状岩塩型構造を有する複数の活物質と、複数のグラフェンと、複数の活物質と面接触しているグラフェンと、結着剤と、を含む活物質層を集電体上に有する非水系二次電池用正極。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

層状岩塩型構造を有する複数の活物質と、 前記複数の活物質と面接触しているグラフェンと、 結着剤と、を含む活物質層を集電体上に有することを特徴とする非水系二次電池用正極。

IPC (5件)：

H01M 4/131 ,  H01M 4/525 ,  H01M 4/505 ,  H01M 4/62 ,  H01M 4/139

FI (5件)：

H01M4/131 ,  H01M4/525 ,  H01M4/505 ,  H01M4/62 Z ,  H01M4/1391

Fターム (20件)：

5H050AA08 ,  5H050AA12 ,  5H050BA17 ,  5H050CA07 ,  5H050CA08 ,  5H050CA09 ,  5H050CB07 ,  5H050CB08 ,  5H050CB11 ,  5H050CB12 ,  5H050DA10 ,  5H050DA11 ,  5H050EA08 ,  5H050FA18 ,  5H050GA10 ,  5H050GA12 ,  5H050GA15 ,  5H050GA22 ,  5H050HA04 ,  5H050HA05