特許

J-GLOBAL ID：201403063685110218

透明導電膜付き基板,透明導電膜付き基板を用いた表示素子及び透明導電膜付き基板を用いた太陽電池

発明者： 今西 泰雄 ,  田口 三夫 ,  松森 正樹
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (2件)： 井上 学 ,  戸田 裕二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-227833
公開番号（公開出願番号）：特開2014-065303
出願日： 2013年11月01日
公開日（公表日）： 2014年04月17日
要約：

【課題】高速かつ成長初期の結晶性の高い透明導電膜付き基板を形成することを目的とする。【解決手段】基板と、前記基板上に形成された透明導電膜とを有し、前記透明導電膜は酸化亜鉛を主成分とし、前記基板に対して、前記透明導電膜が形成された側の前記基板の表面に、配向処理が施されたことを特徴とする透明導電膜付き基板において、前記基板の最表面に、前記透明導電膜とは異なる物質からなり、かつ前記透明導電膜の結晶配向性を向上させる配向膜を有することを特徴とする透明導電膜付き基板。【選択図】 図1(a)

請求項（抜粋）：

基板と、 前記基板上に形成された透明導電膜とを有し、 前記透明導電膜は酸化亜鉛を主成分とし、 前記基板に対して、前記透明導電膜が形成された側の前記基板の表面に、ポリイミドを含む配向膜が形成されたことを特徴とする透明導電膜付き基板。

IPC (4件)：

B32B 7/02 ,  H01B 5/14 ,  B32B 27/34 ,  H01L 31/04

FI (4件)：

B32B7/02 104 ,  H01B5/14 A ,  B32B27/34 ,  H01L31/04 M

Fターム (31件)：

4F100AA25B ,  4F100AA25C ,  4F100AB01B ,  4F100AG00 ,  4F100AK49B ,  4F100AT00A ,  4F100BA03 ,  4F100BA07 ,  4F100BA10A ,  4F100BA10C ,  4F100DD07 ,  4F100DE01B ,  4F100EH662 ,  4F100EJ261 ,  4F100GB41 ,  4F100JA11 ,  4F100JG01C ,  4F100JJ01B ,  4F100JK07B ,  4F100JM02B ,  4F100JN01C ,  4F100YY00B ,  5F151AA03 ,  5F151AA05 ,  5F151FA02 ,  5F151FA19 ,  5F151GA03 ,  5G307FA01 ,  5G307FB01 ,  5G307FB02 ,  5G307FC10