特許

J-GLOBAL ID：201403064045751183

レジスト形状におけるクリティカルディメンション及びラフネスの制御方法及び制御システム

発明者： ルドヴィック ゴデ ,  クリストファー ジェイ リーヴィット ,  ジョセフ オルソン ,  パトリック エム マーティン
出願人/特許権者： ヴァリアン セミコンダクター イクイップメント アソシエイツ インコーポレイテッド
代理人 (3件)： 杉村 憲司 ,  福尾 誠 ,  太田 昌宏
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2014-509322
公開番号（公開出願番号）：特表2014-515889
出願日： 2012年04月26日
公開日（公表日）： 2014年07月03日
要約：

初期ラインラフネス及び初期クリティカルディメンションを有するフォトレジストレリーフ形状の処理方法を開示する。この方法は、第1の角度範囲及び第1の線量率でイオンをフォトレジストに向けるステップを含み、それにより、初期ラインラフネスを第2のラインラフネスに減少されるように構成される。この方法は、また、第1の線量率よりも高い第2のイオン線量率でフォトレジストレリーフ形状にイオンを向けるステップも含み、第2のイオン線量率はフォトレジストレリーフ形状を膨張させるように構成される。【選択図】図4

請求項（抜粋）：

初期ラインラフネス及び初期クリティカルディメンションを有する、基板上のフォトレジストレリーフ形状の処理方法であって、 第1の露光において、前記初期ラインラフネスを第2ラインラフネスに減少させるように構成された第1の角度範囲及び第1のイオン線量率で、前記フォトレジストレリーフ形状にイオンを向けるステップと、 第2の露光において、前記第1のイオン線量率よりも高い第2のイオン線量率であって、前記フォトレジストレリーフ形状を膨張させるように構成された第2のイオン線量率で、前記フォトレジストレリーフ形状にイオンを向けるステップと、 を含む処理方法。

IPC (1件)：

H01L 21/027

FI (1件)：

H01L21/30 570

Fターム (1件)：

5F146LA18

引用特許：

出願人引用 (1件)

• プラズマ処理方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-327345   出願人：株式会社日立ハイテクノロジーズ

審査官引用 (1件)

• プラズマ処理方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-327345   出願人：株式会社日立ハイテクノロジーズ

引用文献：

出願人引用 (1件)

• "Plasma Swelling of Photoresist"

審査官引用 (1件)

• "Plasma Swelling of Photoresist"