特許
J-GLOBAL ID：201403064427152468

電力素子、電力制御機器、電力素子の製造方法

発明者：
平岩 篤

平岩 篤 について

, 
川原田 洋

川原田 洋 について

, 
大長 央

大長 央 について

, 
齊藤 達也

齊藤 達也 について


出願人/特許権者：
学校法人早稲田大学

学校法人早稲田大学 について


代理人 (3件)： 吉田 正義 ,  今枝 弘充 ,  梅村 裕明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-047025
公開番号（公開出願番号）：特開2014-060377
出願日： 2013年03月08日
公開日（公表日）： 2014年04月03日
要約：
【課題】安定して動作するダイヤモンド半導体を用いた電力素子、電力制御機器、電力素子の製造方法を提供する。【解決手段】電力素子50Aは、ダイヤモンド基板1の一面に形成されたC-H結合からなる水素化層7と、前記水素化層7上に形成された保護膜12Aとを備え、前記保護膜12Aは、前記C-H結合と吸熱反応をする反応種を用い、200°C以上において形成したことを特徴とする。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
ダイヤモンド基板の少なくとも一面に形成されたC-H結合を有する水素化層と、 前記水素化層上に形成された保護膜とを備え、前記保護膜の少なくとも一部は、前記C-H結合と吸熱反応をする反応種を用い、200°C以上において形成したことを特徴とする電力素子。
IPC (7件)：
H01L 21/338 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/812 ,  H01L 29/16 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/316
FI (4件)：
H01L29/80 H ,  H01L29/16 ,  H01L29/78 301B ,  H01L21/316 X
Fターム (58件)：
5F058BA01 ,  5F058BA02 ,  5F058BA03 ,  5F058BA04 ,  5F058BA05 ,  5F058BA06 ,  5F058BA07 ,  5F058BA08 ,  5F058BA09 ,  5F058BA10 ,  5F058BA11 ,  5F058BC03 ,  5F058BF02 ,  5F058BF04 ,  5F058BF27 ,  5F058BF29 ,  5F058BJ03 ,  5F058BJ04 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD10 ,  5F102GJ02 ,  5F102GL02 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR01 ,  5F102GR04 ,  5F102GR12 ,  5F102GS01 ,  5F102GS04 ,  5F102GV05 ,  5F102GV06 ,  5F102HC10 ,  5F140BA04 ,  5F140BA16 ,  5F140BA20 ,  5F140BC12 ,  5F140BD11 ,  5F140BE01 ,  5F140BE09 ,  5F140BF01 ,  5F140BF05 ,  5F140BF07 ,  5F140BF10 ,  5F140BF11 ,  5F140BF15 ,  5F140BF17 ,  5F140BG08 ,  5F140BG30 ,  5F140BH30 ,  5F140BJ07 ,  5F140BJ13 ,  5F140BJ15 ,  5F140BK29 ,  5F140BK35 ,  5F140CB02 ,  5F140CC03 ,  5F140CC13 ,  5F140CE02
引用特許：
審査官引用 (6件)
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引用文献：
審査官引用 (1件)

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