半導体装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (5件)：稲葉良幸 , 大貫敏史 , 江口昭彦 , 内藤和彦 , 小澁高弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-114465
公開番号（公開出願番号）：特開2014-236011
出願日： 2013年05月30日
公開日（公表日）： 2014年12月15日
要約：

【課題】窒化物半導体により形成されている半導体装置において、半導体装置を大型化させることなく、低コストで、高速動作を可能にする。【解決手段】基板の上に、窒化物半導体により形成された第1の半導体層と、前記第1の半導体層の上に、窒化物半導体により形成された第2の半導体層と、前記第2の半導体層の上に形成された第1のゲート電極、第2のゲート電極、ソース電極及びドレイン電極と、前記第2の半導体層の上に形成された層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜の上に形成されたフィールドプレートと、を有し、前記第1のゲート電極及び前記第2のゲート電極は、前記ソース電極と、前記フィールドプレートが形成される領域の間に形成されており、前記第1のゲート電極と前記第2のゲート電極との間における前記第1の半導体層及び前記第2の半導体層には、素子分離領域が形成されており、前記第2のゲート電極と前記ソース電極とは、電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置により上記課題を解決する。【選択図】図9

請求項（抜粋）：

基板の上に、窒化物半導体により形成された第1の半導体層と、前記第1の半導体層の上に、窒化物半導体により形成された第2の半導体層と、前記第2の半導体層の上に形成された第1のゲート電極、第2のゲート電極、ソース電極及びドレイン電極と、前記第2の半導体層の上に形成された層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜の上に形成されたフィールドプレートと、を有し、前記第1のゲート電極及び前記第2のゲート電極は、前記ソース電極と、前記フィールドプレートが形成される領域の間に形成されており、前記第1のゲート電極と前記第2のゲート電極との間における前記第1の半導体層及び前記第2の半導体層には、素子分離領域が形成されており、前記第2のゲート電極と前記ソース電極とは、電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (6件)：

H01L 21/338 , H01L 29/778 , H01L 29/812 , H01L 21/823 , H01L 27/088 , H01L 29/06

FI (3件)：

H01L29/80 H , H01L27/08 102C , H01L29/06 301F

Fターム (41件)：

5F048AC01 , 5F048AC09 , 5F048AC10 , 5F048BA14 , 5F048BA15 , 5F048BB01 , 5F048BB02 , 5F048BB03 , 5F048BB05 , 5F048BB09 , 5F048BB10 , 5F048BB11 , 5F048BB15 , 5F048BB16 , 5F048BB17 , 5F048BC02 , 5F048BD10 , 5F048BF02 , 5F048BF07 , 5F048BF15 , 5F048BF16 , 5F048BH02 , 5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD01 , 5F102GD04 , 5F102GD10 , 5F102GJ02 , 5F102GJ03 , 5F102GJ10 , 5F102GL04 , 5F102GM04 , 5F102GM08 , 5F102GQ01 , 5F102GR04 , 5F102GR12 , 5F102GT01 , 5F102GT06 , 5F102GT08 , 5F102GV07 , 5F102GV08

引用特許：

審査官引用 (1件)

窒化物系半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2010-206031 出願人：次世代パワーデバイス技術研究組合

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