特許
J-GLOBAL ID：201403064842417558
処理方法およびコンデショニング方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高山 宏志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-150813
公開番号（公開出願番号）：特開2014-013841
出願日： 2012年07月04日
公開日（公表日）： 2014年01月23日
要約：
【課題】COR処理装置におけるチャンバーのコンデショニングを短時間で行うこと。【解決手段】COR処理装置の第1のチャンバーに、表面にシリコン酸化膜を有するコンデショニング用基板を搬入し、第1のチャンバーと加熱処理装置の第2のチャンバーとの間の開閉機構を閉じ、第1のチャンバー内にHFガスおよびNH3ガスを供給し、これらとシリコン酸化膜とを反応させた後、コンデショニング用基板を第2のチャンバーに搬送し、開閉機構を開放し、第1および第2のチャンバーを密閉状態として、コンデショニング用基板を加熱することにより、コンデショニング用基板上の反応生成物を気化させて第1のチャンバーをコンデショニングする。【選択図】図5
請求項（抜粋）：
シリコン酸化膜を有する基板を収容する第1のチャンバーと、前記第1のチャンバー内で基板を載置する載置台と、前記第1のチャンバー内にHFガスおよびNH3ガスを導入するガス導入機構と、前記第1のチャンバーを排気する排気機構とを有し、前記第1のチャンバー内にHFガスおよびNH3ガスを供給し、これらと前記シリコン酸化膜とを反応させるCOR処理を行うCOR処理装置、
前記COR処理後の基板を収容する第2のチャンバーと、前記第2のチャンバー内で基板を加熱して基板上の反応生成物を分解除去する加熱機構とを有する加熱処理装置、および
前記第1のチャンバーと前記第2のチャンバーとの間を開閉する開閉機構
を有する処理システムを用いて、基板表面のシリコン酸化膜をエッチングする処理方法であって、
前記第1のチャンバーに、表面にシリコン酸化膜を有するコンデショニング用基板を搬入し、前記開閉機構を閉じ、前記第1のチャンバー内にHFガスおよびNH3ガスを供給し、これらと前記シリコン酸化膜とを反応させた後、前記コンデショニング用基板を前記第2のチャンバーに搬送し、前記開閉機構を開放し、かつ前記第1のチャンバーおよび前記第2のチャンバーを密閉状態として、前記コンデショニング用基板を加熱することにより、前記コンデショニング用基板上の反応生成物を気化させ、その反応生成物を前記第1のチャンバー内の前記載置台に付着させて前記第1のチャンバーをコンデショニングする工程と、
前記コンデショニング後の前記第1のチャンバーに、表面にシリコン酸化膜を有する実処理基板を搬入し、前記開閉機構を閉じ、前記第1のチャンバー内にHFガスおよびNH3ガスを供給し、これらと前記シリコン酸化膜とを反応させた後、前記実処理基板を前記第2のチャンバーに搬送し、前記開閉機構を閉じた状態で前記実処理基板を加熱処理して前記実処理基板上の反応生成物を除去する工程と
を有することを特徴とする処理方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (10件)：
5F004AA16
, 5F004BA19
, 5F004BB18
, 5F004BB25
, 5F004CA04
, 5F004DA20
, 5F004DA23
, 5F004DA25
, 5F004DB03
, 5F004FA08
