特許
J-GLOBAL ID：201403064969392953

半導体装置の製造方法

発明者：
中村 茂雄

中村 茂雄 について

, 
奈良橋 弘久

奈良橋 弘久 について

, 
真子 玄迅

真子 玄迅 について


出願人/特許権者：
味の素株式会社

味の素株式会社 について


代理人 (3件)： 酒井 宏明 ,  寺崎 直 ,  香島 拓也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-170397
公開番号（公開出願番号）：特開2014-029958
出願日： 2012年07月31日
公開日（公表日）： 2014年02月13日
要約：
【課題】さらなる小型化、高集積化、高機能化が可能な半導体装置の製造方法。【解決手段】半導体装置10の製造方法は、半導体チップ搭載面20aを有し、複数個の半導体チップ30が搭載された実装基板20を用意する工程と、支持体、及び支持体上に設けられた樹脂組成物層を有する封止フィルムであって、樹脂組成物層上に設けられたカバーフィルムをさらに備える封止フィルムを用意する工程と、半導体チップ搭載面側に、カバーフィルムを剥離しながら、樹脂組成物層を接合させて封止フィルムを仮付けする工程と、減圧条件下で、支持体側から加温及び加圧することにより、半導体チップを覆うように半導体チップを樹脂組成物層に埋め込む工程と、加熱することにより、半導体チップが埋め込まれた樹脂組成物層を硬化して、半導体チップを封止する硬化体44とする工程とを含む。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
半導体チップ搭載面を有し、該半導体チップ搭載面に、複数個の半導体チップがフリップチップ接続及び/又はワイヤボンディング接続により搭載された実装基板を用意する工程と、 支持体、及び該支持体上に設けられた樹脂組成物層を有する封止フィルムであって、該樹脂組成物層上に設けられたカバーフィルムをさらに備える封止フィルムを用意する工程と、 前記半導体チップ搭載面側に、前記カバーフィルムを剥離しながら、前記樹脂組成物層を接合させて前記封止フィルムを仮付けする工程と、 減圧条件下で、前記支持体側から加温及び加圧することにより、前記半導体チップを覆うように前記半導体チップを前記樹脂組成物層に埋め込む工程と、 加熱することにより、前記半導体チップが埋め込まれた前記樹脂組成物層を硬化して、前記半導体チップを封止する硬化体とする工程と を含む、半導体装置の製造方法。
IPC (12件)：
H01L 21/56 ,  H01L 25/18 ,  H01L 25/11 ,  H01L 25/10 ,  H01L 23/29 ,  H01L 23/31 ,  C08J 5/18 ,  C09J 7/02 ,  C09J 163/00 ,  C09J 11/04 ,  C09J 11/06 ,  C09J 201/00
FI (9件)：
H01L21/56 R ,  H01L25/14 Z ,  H01L23/30 R ,  C08J5/18 ,  C09J7/02 Z ,  C09J163/00 ,  C09J11/04 ,  C09J11/06 ,  C09J201/00
Fターム (46件)：
4F071AA42A ,  4F071AB01 ,  4F071AB26 ,  4F071AC04 ,  4F071AD02 ,  4F071AE03 ,  4F071AE17 ,  4F071AF58 ,  4F071AG28 ,  4F071AH12 ,  4F071BB13 ,  4F071BC02 ,  4F071BC12 ,  4J004AA13 ,  4J004AB05 ,  4J004CA06 ,  4J004CA08 ,  4J004CB03 ,  4J004CC02 ,  4J004DB03 ,  4J004FA05 ,  4J040EC001 ,  4J040JA09 ,  4J040JB02 ,  4J040JB09 ,  4J040KA16 ,  4J040KA42 ,  4J040LA06 ,  4J040LA09 ,  4J040NA20 ,  4M109AA01 ,  4M109BA04 ,  4M109BA05 ,  4M109CA22 ,  4M109EA02 ,  4M109EA06 ,  4M109EB02 ,  4M109EB03 ,  4M109EB04 ,  4M109EB07 ,  4M109EB12 ,  4M109EB19 ,  5F061AA01 ,  5F061BA04 ,  5F061CA22 ,  5F061CB03
引用特許：
審査官引用 (4件)
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