特許
J-GLOBAL ID：201403065351427990

パワーMOSFETの駆動回路およびその素子値決定方法

発明者：
佐藤 隼人

佐藤 隼人 について

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木村 友則

木村 友則 について

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赤木 望

赤木 望 について


出願人/特許権者：
株式会社デンソー

株式会社デンソー について


代理人 (1件)： 特許業務法人 サトー国際特許事務所
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-021805
公開番号（公開出願番号）：特開2013-013051
特許番号：特許第5482815号
出願日： 2012年02月03日
公開日（公表日）： 2013年01月17日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 第1電源線および第2電源線間に電圧駆動型の第1パワーMOSFETおよび第2パワーMOSFETをハーフブリッジ接続すると共に当該第1および第2パワーMOSFET間に誘導性負荷を接続してなる駆動対象を駆動する駆動回路において、 前記第1パワーMOSFETの低電位側基準端子の電位を基準電位として電源電圧を通電オンおよび開放可能な第1通電スイッチ回路であって、電源電圧の供給端子と前記低電位側基準端子との間に第1オンスイッチおよび第1オフスイッチを直列接続して構成された第1通電スイッチ回路と、 前記第1通電スイッチ回路と前記第1パワーMOSFETの制御端子との間に接続され当該制御端子に電荷を注入/放出する速度を調整する第1電荷注入放出回路と、 前記第1パワーMOSFETの制御端子と低電位側基準端子との間に接続され、これらの制御端子と低電位側基準端子との間のインピーダンスについて、前記第1電荷注入放出回路のインピーダンスより高い所定の第1インピーダンス状態(但し第1インピーダンス状態は抵抗性及び誘導性の少なくとも一方を含む)と当該第1インピーダンス状態よりインピーダンスを高くした開放状態とに切替える第1インピーダンス切替部と、 前記第2パワーMOSFETの低電位側基準端子の電位を基準電位とした電源電圧を通電オンおよび開放可能な第2通電スイッチ回路であって、電源電圧の供給端子と前記低電位側基準端子との間に第2オンスイッチおよび第2オフスイッチを直列接続して構成された第2通電スイッチ回路と、 前記第2通電スイッチ回路と前記第2パワーMOSFETの制御端子との間に接続され当該制御端子に電荷を注入/放出する速度を調整する第2電荷注入放出回路と、 前記第2パワーMOSFETの制御端子と低電位側基準端子との間に接続され、これらの制御端子と低電位側基準端子との間のインピーダンスについて、前記第2電荷注入放出回路のインピーダンスより高い所定の第2インピーダンス状態(但し第2インピーダンス状態は抵抗性及び誘導性の少なくとも一方を含む)とこの第2インピーダンス状態よりもインピーダンスの高い開放状態とに切り替える第2インピーダンス切替部と、 前記第1および第2通電スイッチ回路のスイッチ状態、並びに、前記第1および第2インピーダンス切替部の切替状態を制御する制御手段とを備え、 前記制御手段は、 (A)第kオンスイッチをオン、第kオフスイッチをオフ (B)第kオンスイッチをオンからオフした後、第kオフスイッチをオン (C)第kオフスイッチをオンからオフすると同時に第kインピーダンス切替部を第kインピーダンス状態、第mオンスイッチをオン (但しkは1又は2の何れか、mはその他方)に示す(A)〜(C)を含む切替制御を行うことを特徴とするパワーMOSFETの駆動回路。
IPC (3件)：
H03K 17/16 ( 200 6.01) ,  H03K 17/687 ( 200 6.01) ,  H02M 7/48 ( 200 7.01)
FI (3件)：
H03K 17/16 L ,  H03K 17/687 E ,  H02M 7/48 M
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (4件)
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