光電変換素子及びこの製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (8件)：天野一規 , 池田義典 , 小川博生 , 加藤早苗 , 石田耕治 , 各務幸樹 , 根木義明 , 新庄孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-159908
公開番号（公開出願番号）：特開2014-022569
出願日： 2012年07月18日
公開日（公表日）： 2014年02月03日
要約：

【課題】スプレー熱分解法により低コストで成膜することができる光吸収層を備え、十分な変換効率を有する光電変換素子及びこのような光電変換素子の製造方法を提供する。【解決手段】Cu3BiS3を主成分として含み、厚さが20nm以上10μm以下である光吸収層を備える光電変換素子10である。上記光吸収層がスプレー熱分解法により得られることが好ましい。上記光吸収層がp型半導体層5であり、このp型半導体層5の一方の面側に積層され、透明半導体材料からなるn型半導体層3を備える。【選択図】図1

請求項（抜粋）：