半導体装置及び半導体装置の製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：特許業務法人YKI国際特許事務所
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-501804
特許番号：特許第5464458号
出願日： 2011年02月23日
請求項（抜粋）：

【請求項1】ガラスまたはフィルム状の基板と、基板の面に平行に(111)面を有して形成されるポリシリコン半導体層と、ポリシリコン半導体層の(111)面を被覆する絶縁膜であってポリシリコンの(111)面上における各結晶粒の粒界で囲まれた結晶粒面積よりも小さい開口面積を有する複数の開口部が設けられる開口部付絶縁膜と、開口部付絶縁膜の開口部を核として、ポリシリコン半導体層の(111)面に垂直に延びるIII-V族化合物半導体の複数のナノワイヤと、を含むことを特徴とする半導体装置。

IPC (10件)：

H01L 33/06 ( 201 0.01) , H01L 33/24 ( 201 0.01) , H01L 33/30 ( 201 0.01) , H01S 5/343 ( 200 6.01) , H01S 5/042 ( 200 6.01) , H01L 31/10 ( 200 6.01) , H01L 21/205 ( 200 6.01) , C30B 29/62 ( 200 6.01) , H01L 29/06 ( 200 6.01) , H01L 31/06 ( 201 2.01)

FI (11件)：

H01L 33/00 112 , H01L 33/00 174 , H01L 33/00 184 , H01S 5/343 ZNM , H01S 5/042 612 , H01L 31/10 A , H01L 21/205 , C30B 29/62 U , H01L 29/06 601 N , H01L 31/04 E , H01L 29/06 601 W

引用特許：

出願人引用 (1件)

シリコンリッチ酸化物を含むナノワイヤーおよびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2009-089485 出願人：三星電子株式会社

審査官引用 (1件)

シリコンリッチ酸化物を含むナノワイヤーおよびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2009-089485 出願人：三星電子株式会社

引用文献：

出願人引用 (2件)

審査官引用 (2件)

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