特許

J-GLOBAL ID：201403065693636191

パターン形状評価方法、半導体装置の製造方法及びパターン形状評価装置

発明者： 福田 宏
出願人/特許権者： 株式会社日立ハイテクノロジーズ
代理人 (3件)： 平木 祐輔 ,  関谷 三男 ,  渡辺 敏章
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-287906
公開番号（公開出願番号）：特開2014-130077
出願日： 2012年12月28日
公開日（公表日）： 2014年07月10日
要約：

【課題】ウエハの上方から観察した回路パターンの平面像のみから、回路パターンの断面形状又は3次元形状を推定し評価する。【解決手段】本発明は、立体的な構造体が上面に形成された基板の主面に略垂直な方向から収束エネルギー線を照射するとともに上記基板の上面を走査させ、上記基板及び上記構造体から発生した2次エネルギー線又は上記基板及び上記構造体により反射若しくは散乱されたエネルギー線の強度を検出及び/又は測定し、上記構造体の上面観察像を取得する処理と、上記上面観察像における収束エネルギー線の照射位置と測定された上記強度から上記構造体の表面の凹凸形状による散乱強度の不確かさ情報を求める処理と、求めた上記不確かさ情報に基づいて上記構造体の表面の傾斜角度θを求める処理と、求めた傾斜角度θに基づいて上記構造体の立体形状を推定する処理とを有する。【選択図】図14

請求項（抜粋）：

計算機に、 立体的な構造体が上面に形成された基板の主面に略垂直な方向から収束エネルギー線を照射するとともに上記基板の上面を走査させ、上記基板及び上記構造体から発生した2次エネルギー線又は上記基板及び上記構造体により反射若しくは散乱されたエネルギー線の強度を検出及び/又は測定し、上記構造体の上面観察像を取得する処理と、 上記上面観察像における収束エネルギー線の照射位置と測定された上記強度から上記構造体の表面の凹凸形状による散乱強度の不確かさ情報を求める処理と、 求めた上記不確かさ情報に基づいて上記構造体の表面の傾斜角度θを求める処理と、 求めた傾斜角度θに基づいて上記構造体の立体形状を推定する処理と を実行させるパターン形状評価方法。

IPC (4件)：

G01B 15/04 ,  H01J 37/22 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/66

FI (5件)：

G01B15/04 K ,  H01J37/22 502H ,  H01J37/22 502Z ,  H01L21/30 502V ,  H01L21/66 J

Fターム (25件)：

2F067AA21 ,  2F067AA45 ,  2F067AA51 ,  2F067BB04 ,  2F067CC17 ,  2F067EE04 ,  2F067HH06 ,  2F067HH13 ,  2F067JJ05 ,  2F067KK04 ,  2F067QQ02 ,  2F067RR14 ,  2F067RR35 ,  2F067RR36 ,  2F067RR40 ,  2F067RR41 ,  2F067RR42 ,  4M106AA01 ,  4M106BA02 ,  4M106CA38 ,  4M106DB20 ,  4M106DB21 ,  4M106DJ11 ,  4M106DJ19 ,  4M106DJ20