特許
J-GLOBAL ID:201403066407579921
ナフトビスチアジアゾール誘導体およびその製造方法
発明者:
,
,
出願人/特許権者:
,
代理人 (3件):
木村 満
, 末次 渉
, 毛受 隆典
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2012-188709
公開番号(公開出願番号):特開2014-047139
出願日: 2012年08月29日
公開日(公表日): 2014年03月17日
要約:
【課題】有機ELの発光層材料などの有機エレクトロニクス材料として有用な新規ナフトビスチアジアゾール誘導体及びその製造方法を提供する。【解決手段】ナフトビスチアジアゾール誘導体は、式1で表される。式1中、NY及びNY’は第三級アミノ基を示し、Nはナフト[1,2-c:5,6-c’]ビス[1,2,5]チアジアゾールの第4位及び第9位に直接結合する窒素原子であり、NY及びNY’は同一でも異なっていてもよい。【選択図】なし
請求項(抜粋):
式1で表される、
IPC (1件):
FI (2件):
C07D513/04 301
, C07D513/04
Fターム (13件):
4C072AA01
, 4C072AA06
, 4C072BB02
, 4C072BB07
, 4C072CC04
, 4C072CC17
, 4C072EE12
, 4C072FF13
, 4C072GG08
, 4C072UU05
, 4H039CA42
, 4H039CD10
, 4H039CD20
前のページに戻る