導電積層体およびタッチパネル

発明者： , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：岩見知典
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2012057860
公開番号（公開出願番号）：WO2012-133367
出願日： 2012年03月27日
公開日（公表日）： 2012年10月04日
要約：

基材の一方の面に架橋層を、基材のもう一方の面に導電層と、保護層とを積層した導電積層体であり、下記(i)〜(iv)を満たす導電積層体;(i)前記架橋層が、構造内に2個以上の重合反応に寄与する炭素-炭素二重結合基を有する化合物が重合反応した構造を含む架橋高分子からなり、かつ、架橋層の全質量に対する前記炭素-炭素二重結合基由来の構造の炭素-炭素二重結合基の単位構造部分の質量含有率が9〜26質量%である;(ii)前記架橋層の厚みが50nm〜1μmである;(iii)前記導電層が線状構造体からなるネットワーク構造を有する導電成分を含む;(iv)前記保護層の平均厚みtが70nm〜1μmである。本発明は、導電積層体をタッチパネル等に使用する電極部材を形成する際の加工工程における熱に対して、良好な耐久性を有する導電積層体を提供する。

請求項（抜粋）：

基材の一方の面に架橋層を、基材のもう一方の面に導電層と、保護層とを積層した導電積層体であって、下記(i)〜(iv)を満たす導電積層体; (i)前記架橋層が、構造内に2個以上の重合反応に寄与する炭素-炭素二重結合基を有する化合物が重合反応した構造を含む架橋高分子からなり、かつ、前記架橋層の全質量に対する前記炭素-炭素二重結合基由来の構造の炭素-炭素二重結合基の単位構造部分の質量含有率が9〜26質量%である; (ii)前記架橋層の厚みが50nm〜1μmである; (iii)前記導電層が線状構造体からなるネットワーク構造を有する導電成分を含む; (iv)前記保護層の平均厚みtが70nm〜1μmである。

IPC (3件)：

B32B 27/18 , B32B 27/30 , G06F 3/041

FI (4件)：

B32B27/18 J , B32B27/30 A , G06F3/041 330A , G06F3/041 350C

Fターム (23件)：

4F100AA33 , 4F100AK01A , 4F100AK12 , 4F100AK25A , 4F100AK42 , 4F100AT00B , 4F100AT00D , 4F100BA04 , 4F100BA07 , 4F100CA21C , 4F100EJ05A , 4F100GB41 , 4F100JG01C , 4F100JK09 , 4F100JK16 , 4F100JN01 , 4F100YY00A , 4F100YY00D , 5B068AA33 , 5B068BC07 , 5B087AA04 , 5B087CC14 , 5B087CC16

前のページに戻る