特許

J-GLOBAL ID：201403066684791580

ガラス基板の研磨方法

発明者： 中西 博志 ,  平林 佑介 ,  小島 宏
出願人/特許権者： 旭硝子株式会社
代理人 (3件)： 渡辺 望稔 ,  三和 晴子 ,  竹本 洋一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-231432
公開番号（公開出願番号）：特開2014-083597
出願日： 2012年10月19日
公開日（公表日）： 2014年05月12日
要約：

【課題】研磨後のTiO2-SiO2ガラス基板の主面のMSFRを10nm以下とすることができる研磨方法の提供。【解決手段】酸化セリウムを主成分とする研磨スラリーを用いて、TiO2-SiO2ガラス基板の主面を機械研磨する方法であって、研磨スラリーのゼータ電位が負であり、かつ、ゼータ電位の絶対値が5mVよりも大きくなる条件で、TiO2-SiO2ガラス基板の主面を機械研磨する第1研磨工程、および、研磨スラリーのゼータ電位が正であり、かつ、ゼータ電位の絶対値が5mVよりも大きくなる条件で、TiO2-SiO2ガラス基板の主面を機械研磨する第2研磨工程を、この順に実施することを特徴とする、TiO2-SiO2ガラス基板の研磨方法。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

酸化セリウムを主成分とする研磨スラリーを用いて、TiO2を含有するシリカガラス基板(TiO2-SiO2ガラス基板)の主面を機械研磨する方法であって、研磨スラリーのゼータ電位が負であり、かつ、ゼータ電位の絶対値が5mVよりも大きくなる条件で、TiO2-SiO2ガラス基板の主面を機械研磨する第1研磨工程、および、研磨スラリーのゼータ電位が正であり、かつ、ゼータ電位の絶対値が5mVよりも大きくなる条件で、TiO2-SiO2ガラス基板の主面を機械研磨する第2研磨工程を、この順に実施することを特徴とする、TiO2-SiO2ガラス基板の研磨方法。

IPC (2件)：

B24B 37/00 ,  B24B 37/24

FI (2件)：

B24B37/00 H ,  B24B37/00 L

Fターム (3件)：

3C058AA07 ,  3C058CA06 ,  3C058DA02