特許
J-GLOBAL ID:201403066953425714

EUVリソグラフィ用反射型マスクブランクおよびEUVリソグラフィ用反射型マスク

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2012-186533
公開番号(公開出願番号):特開2014-045075
出願日: 2012年08月27日
公開日(公表日): 2014年03月13日
要約:
【課題】耐洗浄性に優れ位相効果を利用したパターン検査に適したEUVマスクブランクの提供。【解決手段】基板上に、EUV光を反射する反射層と、前記反射層上に、EUV光を吸収する吸収層と、前記吸収層上に、タンタル(Ta)と酸素(O)を含む最表面保護層と、を有し、前記最表面保護層において、タンタル(Ta)の含有率が15〜60at%であり、酸素(O)の含有率が40〜85at%であり、該最表面保護層の膜厚が1nm以上3nm未満である、EUVリソグラフィ用反射型マスクブランク。【選択図】図1
請求項(抜粋):
基板上に、EUV光を反射する反射層と、 前記反射層上に、EUV光を吸収する吸収層と、 前記吸収層上に、前記吸収層を保護する最表面保護層と、を有し、 前記最表面保護層は、タンタル(Ta)と酸素(O)を含み、 前記最表面保護層において、タンタル(Ta)の含有率が15〜60at%であり、酸素(O)の含有率が40〜85at%であり、該最表面保護層の膜厚が1nm以上3nm未満である、EUVリソグラフィ用反射型マスクブランク。
IPC (2件):
H01L 21/027 ,  G03F 1/24
FI (2件):
H01L21/30 531M ,  G03F1/24
Fターム (7件):
2H095BA10 ,  2H095BC05 ,  2H095BC20 ,  5F146GA21 ,  5F146GA28 ,  5F146GD07 ,  5F146GD23
引用特許:
審査官引用 (8件)
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