特許

J-GLOBAL ID：201403067586082313

半導体装置の製造方法および半導体製造装置

発明者： 橘 裕昭
出願人/特許権者： ルネサスエレクトロニクス株式会社
代理人 (2件)： 速水 進治 ,  天城 聡
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-283379
公開番号（公開出願番号）：特開2014-125654
出願日： 2012年12月26日
公開日（公表日）： 2014年07月07日
要約：

【課題】半導体装置の製造を安定的に行う。【解決手段】カソード電極CE1を有する支持部材SP1上にウェハWF1を載置し、ウェハWF1の一面における外周部をカソード電極CE1へ接触させる工程と、アノード電極AE1を有する処理槽PB1内にウェハWF1を浸漬させる工程と、ウェハWF1に対し電解めっき処理を施す工程と、を備える。処理槽PB1内にウェハWF1を浸漬させる工程の前、またはウェハWF1に対し電解めっき処理を施す工程の後において、ウェハWF1の外周部がカソード電極CE1に接触した状態において、ウェハWF1の中心軸を回転軸としてカソード電極CE1をウェハWF1に対し相対的に回転させる工程を含む。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

カソード電極を有する支持部材上にウェハを載置し、前記ウェハの一面における外周部を前記カソード電極へ接触させる工程と、 アノード電極を有する処理槽内に前記ウェハを浸漬させる工程と、 前記ウェハに対し電解めっき処理を施す工程と、 を備え、 前記処理槽内に前記ウェハを浸漬させる前記工程の前、または前記ウェハに対し電解めっき処理を施す前記工程の後において、前記外周部が前記カソード電極に接触した状態において、前記ウェハの中心軸を回転軸として前記カソード電極を前記ウェハに対し相対的に回転させる工程を含む半導体装置の製造方法。

IPC (5件)：

C25D 21/00 ,  C25D 17/00 ,  C25D 17/06 ,  C25D 17/08 ,  C25D 7/12

FI (6件)：

C25D21/00 J ,  C25D17/00 B ,  C25D17/06 C ,  C25D17/08 M ,  C25D21/00 C ,  C25D7/12

Fターム (13件)：

4K024AA03 ,  4K024AA07 ,  4K024AA09 ,  4K024AA11 ,  4K024AA24 ,  4K024AB08 ,  4K024BA09 ,  4K024BB11 ,  4K024BC01 ,  4K024CB02 ,  4K024CB08 ,  4K024CB09 ,  4K024EA02