特許
J-GLOBAL ID：201403067961658902
ナノインプリント用テンプレートの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
太田 昌孝
, 米田 潤三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-133601
公開番号（公開出願番号）：特開2014-029997
出願日： 2013年06月26日
公開日（公表日）： 2014年02月13日
要約：
【課題】ナノインプリント用テンプレートの製造方法において、光透過性基板上の金属薄膜にレジストパターンを形成する際に、レジストパターンの側面に成膜された被覆膜に傾きを生じさせず、高精度の側壁マスクが得られるテンプレートの製造方法を提供する。【解決手段】光透過性基板上に2層以上の金属薄膜とレジストパターンを形成し、スリミングしたレジストパターンと金属薄膜を覆って被覆膜を形成し、エッチバックしてレジストパターンと金属薄膜を露出させるとともに、被覆膜をレジストパターン側面に残して側壁マスクとし、レジストパターンを除去し、側壁マスクを用いて上記2層以上の金属薄膜を順次エッチングして金属薄膜パターンを形成し、金属薄膜パターンをマスクに光透過性基板をエッチングして凹凸パターンを形成し、金属薄膜パターンを除去することを特徴とする。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
光透過性基板に凹凸のパターンを形成したナノインプリント用テンプレートの製造方法であって、
光透過性基板上に金属薄膜およびシリコン含有膜がこの順に積層形成された基板の当該シリコン含有膜上に、レジストパターンを形成する工程と、
前記レジストパターンの側面及び上面、並びに前記シリコン含有膜の上面を覆うように被覆膜を形成する工程と、
前記被覆膜をエッチバックして、前記レジストパターン及び前記シリコン含有膜を露出させるとともに、前記被覆膜を前記レジストパターンの側面に残して側壁マスクとする工程と、
前記レジストパターンを除去する工程と、
前記側壁マスクを用いて前記シリコン含有膜および前記金属薄膜をこの順にエッチングしてシリコン含有膜パターンおよび金属薄膜パターンを形成する工程と、
前記金属薄膜パターンをマスクとして、前記光透過性基板をエッチングして前記凹凸のパターンを形成する工程と、
前記側壁マスク、前記シリコン含有膜パターンおよび前記金属薄膜パターンを除去する工程と、
を含むことを特徴とするナノインプリント用テンプレートの製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/027
, G03F 7/20
, B29C 59/02
H01L21/30 502D
, G03F7/20 501
, B29C59/02 B
2H097JA04
, 2H097LA10
, 4F209AA44
, 4F209AF01
, 4F209AG05
, 4F209AH33
, 4F209AJ02
, 4F209AJ06
, 4F209AJ09
, 4F209PA02
, 4F209PB01
, 4F209PQ11
, 5F146AA32
